[发明专利]化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 201110068908.2 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102689265A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 赵峰;邓武锋;赵敬民;陈枫;刘俊良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械抛光的方法，其特征在于，包括：
提供抛光层；
采用碱性的研磨浆料研磨所述抛光层；
采用酸性的缓冲剂去除研磨后形成在抛光层表面的残留物层；
在去除所述残留物层之后，形成覆盖所述抛光层的钝化层。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其特征在于，所述酸性的缓冲剂为有机酸化合物。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光的方法，其特征在于，所述有机酸化合物为乙二胺四乙酸、多元羧酸、羟基羧酸中的一种或多种组合。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其特征在于，所述抛光层至少包括金属层。
5.如权利要求4所述的化学机械抛光的方法，其特征在于，所述金属层的材料为Cu、W、Al中的一种。
6.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其特征在于，所述碱性的研磨浆料包括氧化硅颗粒和碱性的过氧化氢溶液。
7.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其特征在于，所述残留物层为金属的氧化物、氢氧化物、金属-氧-硅化物中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其特征在于，还包括：在形成覆盖所述抛光层的钝化层后，采用去离子水清洗所述钝化层。
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