[发明专利]发光二极管装置有效
申请号: | 201110069130.7 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102693970B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 沈建赋;柯淙凯;陈昭兴 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管装置,尤其是涉及一种具有高出光效率的倒装发光二极管阵列装置结构。
背景技术
发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源并不相同,具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快等优点,再加上其体积小、耐震动、适合量产,容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件,在市场上的应用颇为广泛。例如,光学显示装置、激光二极管、交通标志、数据储存装置、通信装置、照明装置、以及医疗装置等。
传统的阵列式发光二极管1,如图1所示,包括绝缘基板10、多个发光二极管单元12形成于绝缘基板10上,包括p型半导体层121、发光层122、以及n型半导体层123。由于基板10不导电,因此于多个发光二极管单元12之间由蚀刻形成沟槽14后可使各发光二极管单元12彼此绝缘,另外再通过部分蚀刻多个发光二极管单元12至n型半导体层123,分别于n型半导体层123暴露区域以及p型半导体层121上形成第一电极18以及第二电极16。再通过金属导线19选择性连接多个发光二极管单元12的第一电极18及第二电极16,使得多个发光二极管单元12之间形成串联或并联的电路。
然而,通过金属导线19进行发光二极管单元12间的电路连结时,由于发光二极管单元12与之间的沟槽14高低差距颇大,在形成金属导线19时容易产生导线连结不良或断线的问题,进而影响元件的良率。
为解决上述问题,发光二极管单元可进一步结合承载基板(次载体,sub-mount),以倒装的方式形成发光装置。所述发光装置包括具有至少一导电连结结构(电路)的承载基板;至少一焊料(solder)位于上述承载基板上,通过此焊料将上述发光二极管固定于承载基板上,再以导电连结结构(电路)电性连接发光二极管的电极垫;其中,上述的承载基板可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基板(mounting substrate),以方便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
发明内容
本发明提供一种发光二极管装置,尤其是关于一种具有高出光效率的倒装发光二极管阵列装置结构。
本发明的实施例提供一种发光二极管装置,包括承载基板,具有第一表面与相对于第一表面的第二表面;第一发光二极管阵列,具有多个第一发光二极管单元,以倒装方式设置于第一表面上;第二发光二极管阵列,具有多个第二发光二极管单元,以倒装方式设置于第二表面上;其中,至少一第一导电连结结构,设置于第一表面上;以及,至少一第二导电连结结构,设置于第二表面上;其中,至少两个第一发光二极管单元与第一导电连结结构接合形成电性连结,至少两个第二发光二极管单元与第二导电连结结构接合形成电性连结。
本发明的另一实施例提供一种发光二极管装置,包括承载基板,具有第一表面;第一发光二极管阵列,具有多个第一发光二极管单元,以倒装方式设置于第一表面上;第一生长基板,具有第二表面,第一发光二极管阵列形成于第二表面上;以及第一导电连结结构,设置于第一表面上,至少两个第一发光二极管单元透过与第一导电连结结构接合形成电性连结;其中,第一表面与第二表面为粗化的表面。
附图说明
图1为结构图,显示传统阵列式发光二极管装置结构图;
图2为结构图,显示依据本发明实施例的发光二极管装置结构图;
图3为结构图,显示依据本发明另一实施例的发光二极管装置结构图。
附图标记说明
1:传统阵列式发光二极管装置;
2、3:发光二极管装置;
10:基板;
12、23、23’、35:发光二极管单元;
14:沟槽;
16:第二电极;
18:第一电极;
19:金属导线;
21、22、31:生长基板;
25、38、251、252:反射结构;
28、28’、36:电极结构;
27、37:承载基板;
32、33:表面;
34、271:第一表面;
39、291、292、293:导电连结结构;
272:第二表面;
121、231、231’、351:p型半导体层;
122、232、232’、352:发光层;
123、233、233’、353:n型半导体层。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110069130.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种通信处理方法及基站
- 下一篇:可选择阈值复位电路
- 同类专利
- 专利分类