[发明专利]一种制造硅片绒面的方法

权利要求书

1.一种制造硅片绒面的方法，其具体步骤如下：

（1）利用水膜方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜层： a）先将Si衬底片在NH₄OH、H₂O₂、H₂O 混合溶液（体积比1：2：6）中煮沸5-10分钟，再用去离子水彻底冲洗；b）将洗净的Si 衬底片烘干后在浓度为10%的十二烷基硫酸钠溶液中浸泡1-20小时，得到亲水的衬底表面；将一定量的聚苯乙烯小球配置成胶体溶液，用等体积的乙醇进行稀释；然后将稀释后的溶液滴在浸泡过的Si衬底片表面，溶剂连同聚苯乙烯小球在Si衬底片表面铺展开来；c）先将Si衬底片缓慢地浸入到去离子水里，由于水表面张力作用，在水表面形成一层PS胶体小球的单层膜；再向去离子水中滴入一定量的浓度为2%的十二烷基硫酸钠溶液；d）在室温条件下静置约5-15分钟后，用浸泡过的Si衬底片将PS小球膜捞起来，在空气中自然挥发干燥，再滴入少量的浓度为10%的十二烷基硫酸钠溶液到装有小球的容器中，溶剂挥发后在Si衬底片表面形成有序的二维胶体晶体阵列；

（2）利用等离子刻蚀方法对已有掩膜层的硅片进行刻蚀，形成特定的减反结构；

（3）去除硅片表面剩余的掩膜层物质。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤（1）-b中的聚苯乙烯小球的粒子尺寸为200 nm，标准偏差小于10%。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤（1）-c中的去离子水PH 值为7.0，电阻率20MΩ。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤（1）可以是利用印刷方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜层，其掩膜层的物质可以是聚苯乙烯小球、其他规则或不规则形状的聚苯乙烯微粒，掩膜层的物质需在硅片表面均匀平铺。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征是：聚苯乙烯小球的粒子尺寸为200 nm，标准偏差小于10%。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征是：聚苯乙烯微粒的粒度为10nm~5μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤（2）具体为：以CF₄为气源，在1-60瓦的功率下对铺有单层二维聚苯乙烯小球阵列的硅片进行刻蚀，刻蚀时间为1~30分钟；CF₄的流量为5-60SCCM。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤（3）具体为：以O₂为气源，对刻蚀后的硅片在600^oC以上的温度下氧化1小时，去除表面的聚苯乙烯材料；O₂的流量为0.1-20L/min。