[发明专利]晶体管基底及其制造方法

说明书

本申请参考早先于2010年3月19日在韩国知识产权局提交并被分配申请号10-2010-0024757的申请并将其包含由此，并且主张该申请的全部权益。

技术领域

本发明涉及一种晶体管基底及其制造方法。

背景技术

将具有精细图案的掩模转印到包括薄膜晶体管(TFT)和导线的晶体管基底，以在晶体管基底上形成精细的结构图案。

利用掩模转印图案的工艺使用了利用光掩模的光刻工艺。根据光刻工艺，在基底上均匀地涂覆光致抗蚀剂，将具有图案的光掩模与基底对准，并利用诸如步进曝光机之类的曝光装置将基底曝光。基底经历包括将曝光的光致抗蚀剂(例如，正型光致抗蚀剂)显影、通过使用剩余的光致抗蚀剂图案来蚀刻图案以形成期望的图案以及将光致抗蚀剂的剩余部分去除在内的一系列工艺。

由于利用光掩模形成图案的一系列工艺是复杂的，所以制造成本和制造时间随着利用光掩模的工艺的数量的增加而增加。此外，需要将基底和光掩模精确地对准来形成精细的图案。

发明内容

本发明提供了一种能够减少光掩蔽工艺的数量和/或将基底光掩模精确地对准的晶体管基底以及制造该晶体管基底的方法。

根据本发明的一方面，提供了一种晶体管基底，该晶体管基底包括：半导体层，布置在基层上；第一层，布置在所述半导体层上并具有第一透光率；源电极和漏电极，所述源电极布置在所述半导体层的第一侧上并延伸到所述第一层的第一部分上，所述漏电极布置在所述半导体层的与第一侧相对的第二侧上并延伸到所述第一层的第二部分上并且与所述源电极分开；第二层，布置在所述第一层与所述源电极和漏电极之间且具有低于所述第一透光率的第二透光率；栅极绝缘层，布置在所述第一层上；栅电极，布置在所述栅极绝缘层上。

所述第一层可包含相对于所述源电极和漏电极以及所述第二层具有蚀刻选择性的材料。所述源电极和漏电极的内侧与所述第二层的内侧可布置在同一平面上。所述源电极和漏电极的外侧与所述半导体层的外侧可布置在同一平面上。所述第一层的外侧与所述第二层的外侧可布置在同一平面上。所述源电极和漏电极可直接接触所述半导体层。所述第一透光率可大于50％且小或等于100％，所述第二透光率可大于0％且小或等于50％。所述第一层可包含氧化硅或氮化硅，所述第二层可包含选自于由非晶硅和掺杂的非晶硅组成的组中的材料。所述源电极和漏电极可包括多个欧姆接触层以及布置在所述欧姆接触层上的金属层。所述半导体层的其上没有布置所述第一层的一部分包含杂质。所述晶体管基底还可包括与所述半导体层分开并包括第三层的对准键，所述第三层包含与所述第二层的材料相同的材料。所述对准键还可包括布置在所述第三层下面并包含与所述第一层的材料相同的材料的第四层。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造晶体管基底的方法，该方法包括以下步骤：通过利用第一光掩蔽工艺将第一层和第二层图案化使得所述第一层和所述第二层的外侧布置在同一平面上来在基层上顺序地形成半导体层、所述第一层和所述第二层，其中，所述第一层具有第一透光率，第二层具有低于所述第一透光率的第二透光率；通过在所述第一光掩蔽工艺的所得结构上沉积用于源电极和漏电极的材料并通过第二光掩蔽工艺将所沉积的材料图案化来形成源电极和漏电极，其中，所述源电极连接到所述半导体层的第一侧并延伸到所述第二层的第一部分上，所述漏电极连接到所述半导体层的与第一侧相对的第二侧并延伸到所述第二层的第二部分上并且与所述源电极分开，其中，所述源电极和漏电极的内侧与所述第二层的内侧布置在同一平面上；通过在所述第二光掩蔽工艺的所得结构上沉积绝缘层然后沉积用于栅电极的材料，然后通过第三光掩蔽工艺将用于栅电极的所述材料图案化，而在与半导体层对应的位置处形成栅电极。

所述方法还可包括与所述半导体层分开并在所述基层的角落处形成对准键，所述对准键包括与所述第二层有着相同材料的第三层。所述对准键还可包括布置在所述第三层下面并包含与所述第一层的材料相同的材料的第四层。所述源电极和漏电极可被图案化成使得所述源电极和漏电极的外侧与所述半导体层的外侧布置在同一平面上。所述第一层可包含相对于所述源电极和漏电极以及所述第二层具有蚀刻选择性的材料。所述方法还可包括通过沉积用于欧姆接触层的材料然后在所述第二光掩蔽工艺过程中将用于所述欧姆接触层的所述材料图案化来形成欧姆接触层。所述第二光掩蔽工艺还可包括在图案化用于所述欧姆接触层的材料的同一过程中蚀刻所述第二层。

附图说明