[发明专利]一种结构改良的LED芯片无效
| 申请号： | 201110069369.4 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102148309A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王维昀;周爱新 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 523082 广东省东莞市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 改良 led 芯片 | ||
1.一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底（1）、N型半导体层（2）、有源层（3）以及P型半导体层（4），其特征在于：所述衬底（1）的下方层叠设置有反射镜（5），反射镜（5）与衬底（1）之间分布有颗粒状的银粒子（6），银粒子（6）的一侧壁粘附于衬底（1）的下表面，银粒子（6）的其余侧壁与反射镜（5）贴合。
2.根据权利要求1所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述银粒子（6）呈半球状，银粒子（6）的球形面与所述反射镜（5）贴合，银粒子（6）的水平面粘附于所述衬底（1）的下表面。
3.根据权利要求1所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述N型半导体层（2）为N型GaN层，所述有源层（3）为InGaN/GaN多重量子井发光层，所述P型半导体层（4）为P型GaN层。
4.根据权利要求3所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述衬底（1）为碳化硅基板。
5.根据权利要求3所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述衬底（1）为蓝宝石基板。
6.根据权利要求5所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述N型半导体层（2）电连接有N型焊接垫（7），所述P型半导体层（4）电连接有P型焊接垫（8）。
7.根据权利要求6所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述P型焊接垫（8）与所述P型半导体层（4）之间设置有透明导电层（9），P型焊接垫（8）、透明导电层（9）以及P型半导体层（4）依次电连接。
8.根据权利要求7所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述透明导电层（9）为氧化铟镓透明导电层或者氧化锌透明导电层。
9.根据权利要求1所述的一种结构改良的LED芯片，其特征在于：所述反射镜（5）为TiO2/SiO2反射镜。
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