[发明专利]智能缺陷筛选及取样方法有效

申请号：	201110069559.6	申请日：	2011-03-18
公开（公告）号：	CN102683165A	公开（公告）日：	2012-09-19
发明（设计）人：	吕一云;林钦贤	申请（专利权）人：	敖翔科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司 72003	代理人：	郑小军;冯志云
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	智能缺陷筛选取样方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种缺陷分析方法，且特别涉及缺陷筛选及取样方法。

背景技术

集成电路的制造过程包括薄膜沉积、光掩模曝光、光刻技术、蚀刻等，在制造的过程中，随机微粒缺陷(random particle defect)及系统性缺陷(systematic defect)等难以避免地产生，这将影响产品的良率，而产品的良率关系到晶粒的成本。

随着设计布局的特征尺寸逐渐缩小，影响产品良率有关的缺陷变得较小，为了提取晶圆上所有致命的缺陷，代工厂必须增加其扫描及检验器具的灵敏度。因此，被检验出来的缺陷个数也会随之增加，然而，事实上非致命的缺陷占所有检验出来的缺陷百分比也会增加。此外，为了确认出真正潜在性的缺陷，代工厂将使用电子式扫描显微镜来检视及分类所有被检验出来的缺陷。然而，代工厂的时间却是有限的，且用来检视的电子式扫描显微镜的效能可能限制了每个晶圆上被观察的个数。因此，目前的技术在确认出产品上属于重要类型的缺陷是有困难的，且具有遗漏辨识出致命性缺陷的风险。

若没有一个快速且创新的方法来预先地确认系统性缺陷，代工厂将面临庞大的产量下滑以及花费大量的学习时间在量产上。

发明内容

有鉴于上述问题，本发明实施例提供一种智能缺陷筛选与取样方法，用以改善系统性缺陷的检测率以及检视缺陷的效率。

为了实现上述目的，本发明实施例提供一种智能缺陷筛选与取样方法，包括预先将一产品的设计布局处理为多个基于布局的图案群，其中设计布局包括多个布局图案；将设计布局划分为多个晶胞，其中多个晶胞中的每一个晶胞是根据其布局图案特征而属于多个图案群中的一个；重叠多个晶胞中属于同一个图案群的多个晶胞；从一缺陷扫描及检验器具提取一晶圆上的多个缺陷的多个缺陷数据，其中多个缺陷数据中的每一个缺陷数据包括一缺陷尺寸及一缺陷坐标；通过映射多个缺陷至重叠的多个图案群来建立多个基于布局的缺陷合成图案群；对具有至少一个缺陷聚集布局图案的缺陷合成图案群执行布局图案匹配，以取得多个缺陷合成图案群中的每一个独特的缺陷合成图案群；对每一个缺陷合成图案群执行一些缺陷取样选择法则，以判断多个缺陷合成图案群的潜在系统性缺陷优先顺序；根据多个缺陷合成图案群的潜在系统缺陷优先顺序将多个缺陷合成图案群分类为多个不同的缺陷类型；根据多个缺陷合成图案群的缺陷类型来检视不同取样个数的多个缺陷合成图案群，以取得一缺陷图像文件；及通过对缺陷图像文件执行一缺陷产生率分析以产生一缺陷图案数据库或一缺陷产生率预测。

综上所述，本发明实施例所提供的智能缺陷筛选与取样方法可通过较少的取样率来实现增加系统性缺陷的检测率以及检视缺陷的效率。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。

附图说明

图1A是本发明的一实施例的设计公司与代工厂的示意图。

图1B为本发明的智能缺陷筛选与取样方法的第一实施例的流程图。

图1C为本发明的智能缺陷筛选与取样方法的第一实施例的示意图。

图2为本发明的智能缺陷筛选与取样方法的第二实施例的流程图。

图3为本发明的智能缺陷筛选与取样方法的第三实施例的流程图。

图4为本发明的智能缺陷筛选与取样方法的第四实施例的流程图。

上述附图中的附图标记说明如下：

20：代工厂

30：集成电路设计公司