[发明专利]一种SGZO-Au-SGZO透明导电膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110069773.1 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102650044A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sgzo au 透明 导电 制备 方法 | ||
1.一种SGZO-Au-SGZO透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，将质量百分比为0.1～3％的SiO2、质量百分比为2～15％的Ga2O3和余量为ZnO原料混合、研磨后于900～1350℃烧结成SGZO靶材；
步骤S2，将步骤S1中得到的SGZO靶材、Au靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa之间；
步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：磁控溅射工作压强0.2～2.0Pa，氩气工作气体的流量15～35sccm，SGZO靶材的溅射功率为60～160W，以及Au靶材的溅射功率为30～100W；接着根据确定的沟工艺参数进行镀膜处理，且在所述衬底上不断交替溅射SGZO层和Au层，最后得到三文治结构的所述SGZO-Au-SGZO透明导电膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，SiO2的质量百分比为2％，Ga2O3的质量百分比为5％，余量为ZnO。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述SGZO靶材的烧结温度为1200℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，真空腔体的真空度设置在6.0×10-4Pa。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，衬底装入磁控溅射镀膜设备的腔体之前包括如下步骤：将衬底先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗，然后用高纯氮气吹干。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，磁控溅射工作压强为1.0Pa。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，工作气体流量为20sccm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，SGZO靶材的溅射功率为100W；Au靶材的溅射功率为60W。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，还包括：所述SGZO-Au-SGZO透明导电膜中，首层SGZO膜层的厚度为20～120nm，Au膜层厚度为3～20nm，第二层SGZO膜层的厚度30～150nm。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，还包括：所述SGZO-Au-SGZO透明导电膜中，首层SGZO膜层的厚度为50nm，Au膜层厚度为10nm，第二层SGZO膜层的厚度80nm。
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