[发明专利]扇出高密度封装方法

权利要求书

1.扇出高密度封装方法，其特征在于，包括步骤：

提供载板；在载板上形成剥离膜；

在剥离膜上形成第一保护层，并在第一保护层上形成设计的光刻图形开口；在第一保护层的表面及其光刻图形开口中形成再布线金属层；在第一保护层上形成带有部分暴露再布线金属层开口的第二保护层；

在第二保护层上形成至少一组布线封装层，形成所述布线封装层的步骤包括依次形成正贴装层、封料层和布线层，布线封装层透过布线层与再布线金属层导通；在布线封装层上形成至少一组倒装封装层，形成倒装封装层的步骤包括依次形成倒贴装层、底部填充和封料层；其中各组封装层之间相互电连接；

去除载板及剥离膜，裸露出第一保护层中的再布线金属；在裸露的再布线金属上形成金属焊球。

2.如权利要求1所述的扇出高密度封装方法，其特征在于，在第二保护层上形成二组布线封装层的具体步骤包括：

将包括芯片和无源器件的第一正贴装层的功能面的相对一面贴于第二保护层上；将第二保护层上贴有第一正贴装层的一面形成第一封料层，使第一正贴装层中芯片和无源器件的功能焊盘裸露；在第一封料层中形成第一微通孔，并将第一微通孔金属化填充形成与再布线金属层导通的第一纵向金属布线；在第一封料层上形成与第一纵向金属布线连接的第一横向金属布线，第一纵向金属布线与第一横向金属布线构成第一布线层；

在第一封料层上堆叠第二正贴装层；在第一封料层上形成覆盖第二正贴装层的第二封料层，并暴露第二正贴装层中芯片和无源器件的焊盘；在第二封料层中形成第二微通孔并将第二微通孔金属化填充形成与第一布线层连接的第二纵向金属布线；在第二封料层上形成与第二纵向金属布线连接的第二横向金属布线，第二纵向金属布线与第二横向金属布线构成第二布线层。

3.如权利要求2所述的扇出高密度封装方法，其特征在于，在第二布线封装层上形成一组倒装封装层的具体步骤包括：

将带有焊料凸点的芯片倒装于第二封料层的第二横向金属布线上形成第一倒贴装层，第一倒贴装层与第二布线层透过焊料凸点实现电互联；用填充料填满第一倒贴装层的芯片与第二封料层间的间隙形成底部填充；在第二封料层上形成覆盖第一倒贴装层的第三封料层，使第一倒贴装层被第三封料层的塑封料包覆密封。

4.如权利要求2或3所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：所述横向金属布线将其所在封料层中芯片和/或无源器件导通互联。

5.如权利要求1～3任意一权利要求所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：各组封装层之间透过封料层中的布线层和焊料凸点来实现相邻贴装层或间隔贴装层间的电互联。

6.如权利要求1所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：所述载板为硅晶圆或玻璃载板。

7.如权利要求1所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：所述剥离膜为UV胶。

8.如权利要求1所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：形成剥离膜的方法为旋涂或印刷。

9.如权利要求1所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：形成所述保护层的材料为聚酰亚胺或苯并环丁烯。

10.如权利要求1所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：形成再布线金属层的方法为电镀、化镀或溅射。

11.如权利要求1～3任意一权利要求所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：所述贴装层中包括芯片或包括芯片和无源器件。

12.如权利要求1或2所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：所述正贴装层的贴装面为芯片和无源器件的功能面的相对一面。

13.如权利要求1或3所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：所述倒贴装层的贴装面为芯片和无源器件的功能面。

14.如权利要求1～3任意一权利要求所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：封料层的材料为环氧树脂。

15.如权利要求1～3任意一权利要求所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：封料层通过印刷、压缩或转注的方法而形成。

16.如权利要求1或3所述的扇出高密度封装方法，其特征在于：所述底部填充的填充料为高分子环氧树脂。