[发明专利]一种激光加热生长石墨烯的制作方法无效

专利信息
申请号: 201110069949.3 申请日: 2011-03-23
公开(公告)号: CN102191485A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 李金华;崔勇;魏志鹏;方铉;方芳;王晓华;王菲;罗添元 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: C23C16/46 分类号: C23C16/46;C23C16/26;C23C16/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 加热 生长 石墨 制作方法
【权利要求书】:

1.一种激光加热制备石墨烯材料的方法,其特征在于:具体实施步骤为:

1)将衬底表面镀500nm镍膜退火处理,作为生长石墨烯的催化剂。将衬底放入石英管中,放置温度传感器可以实现对衬底温度的监测,开启激光器,调整激光光路和参数,使其光斑能够均匀对准衬底上选择的区域进行加热。

2)先将氩气通入密封的的石英管中,保持其流量为200sccm,以便排出石英管中的空气,保持30分钟后,将氢气以相同的流量通入密封的石英管中保持五分钟。

3)开启激光器对准选择生长的衬底区域进行加热,当温度传感器显示温度达到900℃,向密封石英管内通入甲烷(CH4)气体作为反应前驱源,氢气作为反映的还原气体,流量均为100sccm,持续3-5分钟进行石墨烯生长。关闭激光器,去除光束,取出样品,自然冷却,得到大面积生长的石墨烯样品。

2.调节激光参数改变激光光斑面积,可以的得到和光斑面积相同的生长石墨烯材料的区域。

3.根据权利要求1所述的大面积单层石墨烯的制备方法,其特征在于调节了激光参数和光路,使激光光斑能够均匀的对准选择的衬底区域进行加热生长,可以连续选择不同的生长区域生长出大面积单层的石墨烯。

4.根据权利要求1所述的大面积单层石墨烯的制备方法,其特征在于采用了激光加热的方法对衬底进行选择生长区域加热,持续3-5分钟,关闭激光器,由于可以快速去除光束,不存在附加的受热区域,迅速降温,而减少不必要的多层石墨烯生长,可以制备出大面积的优质的石墨烯材料。 

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