[发明专利]一种激光加热生长石墨烯的制作方法无效
申请号: | 201110069949.3 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102191485A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 李金华;崔勇;魏志鹏;方铉;方芳;王晓华;王菲;罗添元 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/26;C23C16/02 |
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地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 加热 生长 石墨 制作方法 | ||
1.一种激光加热制备石墨烯材料的方法,其特征在于:具体实施步骤为:
1)将衬底表面镀500nm镍膜退火处理,作为生长石墨烯的催化剂。将衬底放入石英管中,放置温度传感器可以实现对衬底温度的监测,开启激光器,调整激光光路和参数,使其光斑能够均匀对准衬底上选择的区域进行加热。
2)先将氩气通入密封的的石英管中,保持其流量为200sccm,以便排出石英管中的空气,保持30分钟后,将氢气以相同的流量通入密封的石英管中保持五分钟。
3)开启激光器对准选择生长的衬底区域进行加热,当温度传感器显示温度达到900℃,向密封石英管内通入甲烷(CH4)气体作为反应前驱源,氢气作为反映的还原气体,流量均为100sccm,持续3-5分钟进行石墨烯生长。关闭激光器,去除光束,取出样品,自然冷却,得到大面积生长的石墨烯样品。
2.调节激光参数改变激光光斑面积,可以的得到和光斑面积相同的生长石墨烯材料的区域。
3.根据权利要求1所述的大面积单层石墨烯的制备方法,其特征在于调节了激光参数和光路,使激光光斑能够均匀的对准选择的衬底区域进行加热生长,可以连续选择不同的生长区域生长出大面积单层的石墨烯。
4.根据权利要求1所述的大面积单层石墨烯的制备方法,其特征在于采用了激光加热的方法对衬底进行选择生长区域加热,持续3-5分钟,关闭激光器,由于可以快速去除光束,不存在附加的受热区域,迅速降温,而减少不必要的多层石墨烯生长,可以制备出大面积的优质的石墨烯材料。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的