[发明专利]沟槽的干法刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110070102.7 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102693910A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;刘继全;杨华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽的干法刻蚀方法，其特征在于：在干法刻蚀形成沟槽之后，采用选择性外延工艺修复沟槽侧壁的开口。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，具体工艺步骤为：
步骤一，在硅衬底上的氧化硅层上，采用光刻工艺定义出沟槽的位置和尺寸；
步骤二，刻蚀去除处于沟槽位置处的所述氧化硅层；
步骤三，再干法刻蚀所述硅衬底形成沟槽，去除残留的光刻胶和刻蚀过程中产生的聚合物；
步骤四，采用选择性硅外延工艺，在所述沟槽内壁形成修复层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤四中硅单晶修复层的厚度由所述沟槽侧向开口的大小决定。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤三中，光刻胶的去除采用湿法清洗工艺。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述沟槽的深宽比大于50。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
