[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，包括衬底、上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中下电极位于衬底上，上电极位于器件顶部，其特征在于，所述下电极中部向上凸起成尖峰状，而所述上电极为平板状。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述衬底表面形成有尖峰结构，下电极覆盖于衬底表面的尖峰结构上。

3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，在衬底表面平行排列m条截面为尖峰状的下电极条，器件顶部平行排列n条上电极带，二者的排列方向呈十字交叉结构，每个交叉点形成一个存储单元，共m×n个存储单元，其中m和n为正整数。

4.如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，所述衬底表面形成有平行排列的条状锯齿结构，下电极条覆盖于条状锯齿结构上，其截面为“^”形。

5.如权利要求1～4任一所述的阻变存储器，其特征在于，所述衬底材料是Si(100)衬底；所述下电极和上电极材料是导电金属或金属氮化物。

6.如权利要求1～4任一所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料是金属氧化物阻变材料或硅化物阻变材料

7.一种阻变存储器的制备方法，包括下述步骤：

1)在衬底表面形成条状锯齿结构；

2)光刻定义下电极图形，淀积电极材料覆盖衬底表面的锯齿峰，形成尖峰状的下电极；

3)淀积阻变材料完全覆盖下电极，并进行化学机械抛光使其表面平坦；

4)在阻变材料上形成平板状上电极。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤1)在硅衬底上先生长一层掩膜材料，通过光刻定义并刻蚀掩膜材料形成条带状的硬掩膜，然后用KOH腐蚀硅衬底表面，在衬底表面形成一系列平行排列的条状锯齿。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤2)在衬底表面形成一系列平行排列的截面为“^”形的下电极条。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤4)通过光刻定义上电极图形为一系列平行排列的带状图形，形成上电极带，上电极带与下电极条的排列方向呈十字交叉结构。