[发明专利]包括柔性或硬性基板的光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置，包括：

基板；

第一电极，位于上述基板上；

第二电极，位于上述第一电极的对面，从中光被入射；

第一单元电池，位于上述第一电极和上述第二电极之间，并包括纯半导体层，该纯半导体层包括在上述第二电极一侧的表面上形成凹凸的晶硅晶粒；

第二单元电池，位于上述第一单元电池和上述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：上述基板为柔性基板。

3.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：上述第一单元电池和上述第二单元电池分别包括依次层压的n型半导体层、纯半导体层和p型半导体层。

4.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：上述第一单元电池的纯半导体层包括氢化微晶硅物质层。

5.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：上述晶硅晶粒被氢化非晶硅物质围住。

6.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：在上述第二单元电池的p型半导体层的表面上形成有凹凸。

7.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：上述第一单元电池的纯半导体层的平均结晶体体积分率为25％～75％。

8.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：上述第二电极的表面凹凸的平均间距为50nm～500nm。

9.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：上述第一单元电池和上述第二单元电池之间还包括中间反射膜，上述中间反射膜的厚度为20nm～200nm。

10.一种n-i-p型光电装置的制造方法，所述n-i-p型光电装置包括第一单元电池和第二单元电池，且光从所述二单元电池侧入射，该方法包括：

形成上述第一单元电池的n型半导体层的步骤；

在上述n型半导体层上形成包括围住晶硅晶粒的非晶硅物质的上述第一单元电池的纯半导体层的步骤；

对上述纯半导体层的表面进行蚀刻的步骤；

上述纯半导体层上形成上述第一单元电池的p型半导体层的步骤。

11.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述光电装置形成在柔性基板上。

12.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述第一单元电池的纯半导体层包括氢化微晶硅物质层。

13.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述第一单元电池的纯半导体层的平均结晶体体积分率为25％～75％。

14.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：对上述纯半导体层表面进行干蚀刻。

15.根据权利要求14所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述干蚀刻为氢等离子体蚀刻或氩等离子体蚀刻。

16.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述非晶硅物质相比于上述晶硅晶粒蚀刻得更快。

17.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：已进行蚀刻的上述纯半导体层上形成钝化膜。

18.根据权利要求17所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述钝化膜由氢化微晶硅物质构成。

19.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述第二电极的表面凹凸平均间距为50nm～500nm。