[发明专利]壳体及其制造方法

权利要求书

1.一种壳体，包括铝或铝合金基体，其特征在于：该壳体还包括依次形成于该铝或铝合金基体上的铝膜层和防腐蚀膜层，该防腐蚀膜层为氧化铝梯度膜，其掺杂铱金属离子，所述氧化铝梯度膜中氧原子的百分含量由靠近铝或铝合金基体至远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加，所述铱金属离子的掺杂方式为离子注入。

2.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述防腐蚀膜层的厚度为0.5～2.0μm。

3.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述铝膜层的厚度为100～300nm。

4.一种壳体的制造方法，其包括如下步骤：

提供铝或铝合金基体；

于该铝或铝合金基体的表面磁控溅射铝膜层；

于铝膜上磁控溅射氧化铝梯度膜，该氧化铝梯度膜中氧原子的原子百分含量由靠近铝或铝合金基体至远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加；

于氧化铝梯度膜注入铱金属离子，形成防腐蚀膜层。

5.如权利要求4所述的壳体的制造方法，其特征在于：磁控溅射所述氧化铝梯度膜的工艺参数为：以氩气为工作气体，其流量为100～300sccm，以氧气为反应气体，设置氧气的初始流量为10～20sccm，在铝或铝合金基体上施加-150～-500V的偏压，每沉积10～15min将氧气的流量增大10～20sccm，沉积时间控制为30～90min。

6.如权利要求4所述的壳体的制造方法，其特征在于：对氧化铝梯度膜注入铱金属离子的工艺参数为：设置真空度为1×10^-4Pa，离子源电压为30～100kV，离子束流强度为0.1～5mA，控制铱离子注入剂量在1×10¹⁶ions/cm²到1×10¹⁸ions/cm²之间。

7.如权利要求4所述的壳体的制造方法，其特征在于：沉积所述铝膜层的工艺参数为：以铝靶为靶材，对该镀膜室进行抽真空，设置真空度为8.0×10^-3Pa，通入氩气100～300sccm，开启铝靶，设置铝靶功率为2～8kw，设置基体的偏压为-300～-500V，沉积5～10分钟。

8.如权利要求4所述的壳体的制造方法，其特征在于：所述壳体的制造方法还包括在沉积所述铝膜层之前对铝或铝合金基体进行等离子体清洗的步骤。