[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201110070619.6 | 申请日: | 2011-03-17 |
公开(公告)号: | CN102468386A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 片冈敬;西川幸江;山崎宏德 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,包括:
发光层,其能够发射出发射光;
第一导电型的覆层;
所述第一导电型的电流扩散层,其包括表面处理层和第一层,所述表面处理层具有包括凸起部分和与所述凸起部分相邻布置的底部部分的表面,所述第一层被设置于所述表面处理层和所述覆层之间;
所述第一导电型的第二层,其被设置于所述表面处理层和所述覆层之间,并且包括具有的杂质浓度高于所述电流扩散层的杂质浓度的区域;以及
电极,其被设置于所述表面处理层的没有提供所述凸起部分和所述底部部分的表面区域上;
所述覆层、所述电流扩散层以及所述第二层被设置于所述发光层的一个表面侧。
2.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述凸起部分是岛状或网状。
3.根据权利要求2所述的元件,其特征在于,所述凸起部分被配置成具有小于等于发射光波长的平均间距。
4.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,
所述发光层、所述覆层、所述电流扩散层和所述第二层中的每一个由Inx(Ga1-yAly)1-xP(0≤x≤1并且0≤y≤1)制成;以及
所述第二层的峰值杂质浓度大于等于5x1018cm-3并且厚度小于等于100nm。
5.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,
所述发光层、所述覆层、所述电流扩散层和所述第二层中的每一个由Inx(Ga1-yAly)1-xP(0≤x≤1并且0≤y≤1)制成;以及
所述第二层被形成作为Δ掺杂层,其具有含端点的数值范围5x1012cm-2和1.5x1013cm-2内的片层浓度。
6.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,
所述发光层、所述覆层、所述电流扩散层和所述第二层中的每一个由Inx(Ga1-yAly)1-xP(0≤x≤1并且0≤y≤1)制成;以及
包括于所述电流扩散层中的掺杂剂和包括于所述第二层中的掺杂剂具有至少一种不同的组成成分。
7.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,
所述第二层在所述表面处理层侧具有第一膜并且在所述覆层侧具有第二膜;以及
所述第一层包括所述第一膜和所述第二膜之间的区域。
8.一种发光元件,包括:
发光层,其能够发射出发射光;
第一导电型的覆层;
所述第一导电型的电流扩散层,其包括表面处理层和第一层,所述表面处理层具有包括凸起部分和与所述凸起部分相邻布置的底部部分的表面,所述第一层被设置于所述表面处理层和所述覆层之间;
所述第一导电型的第二层,其被设置于所述表面处理层和所述覆层之间,并且包括下述两个区域中的一个:杂质浓度高于所述电流扩散层的杂质浓度的区域、掺杂剂不同于所述电流扩散层的掺杂剂的区域;以及
电极,其被设置于所述表面处理层的没有提供所述凸起部分和所述底部部分的表面区域上;
所述覆层、所述电流扩散层以及所述第二层被设置于所述发光层的一个表面侧。
9.根据权利要求8所述的元件,其特征在于,所述凸起部分是岛状或网状。
10.根据权利要求9所述的元件,其特征在于,所述凸起部分被配置成具有小于等于发射光波长的平均间距。
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