[发明专利]封装载板及其制作方法有效
申请号: | 201110071243.0 | 申请日: | 2011-03-24 |
公开(公告)号: | CN102629560A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 孙世豪 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/34;H01L23/485;H01L23/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装载 及其 制作方法 | ||
1.一种封装载板的制作方法,包括:
提供一基板,该基板具有上表面以及相对于该上表面的下表面;
形成一连通该基板的该上表面与该下表面的第一开口;
配置一导热元件于该基板的该第一开口内,其中该导热元件通过一绝缘材料而固定于该基板的该第一开口内,且该导热元件具有一顶表面以及一相对于该顶表面的底表面;
压合一第一绝缘层以及一位于该第一绝缘层上的第一金属层于该基板的该上表面上,以及压合一第二绝缘层以及一位于该第二绝缘层上的第二金属层于该基板的该下表面上,其中该第一绝缘层位于该基板与该第一金属层之间且覆盖该导热元件的该顶表面及部分该绝缘材料,而该第二绝缘层位于该基板与该第二金属层之间且覆盖该导热元件的该底表面及部分该绝缘材料;
形成一贯穿该第一金属层与该第一绝缘层且暴露出部分顶表面的第二开口,以及形成一贯穿该第二金属层与该第二绝缘层且暴露出部分该底表面的第三开口;
形成至少一贯穿该第一金属层、该第一绝缘层、该基板、该第二绝缘层以及该第二金属层的孔道;
形成一第三金属层以覆盖该第一金属层、暴露于该第二开口之外的部分该顶表面及部分该第一绝缘层、该第二金属层、暴露于该第三开口之外的部分该底表面及部分该第二绝缘层以及该孔道的内壁;
形成一防焊层于该第三金属层上;以及
形成一表面保护层,包覆暴露于该防焊层之外的该第三金属层以及位于该孔道的内壁上的该第三金属层。
2.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该基板包括第一铜箔层、第二铜箔层以及核心介电层,该核心介电层配置于该第一铜箔层与该第二铜箔层之间。
3.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,还包括:
配置该导热元件于该基板的该第一开口内之前,形成一种子层于该第一铜箔层、该第二铜箔层以及该第一开口的内壁上。
4.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该基板包括金属板以及至少一绝缘块,而该金属板具有该第一开口。
5.如权利要求4所述的封装载板的制作方法,还包括:
在压合该第一绝缘层及该第一金属层于该基板的该上表面上,以及压合该第二绝缘层及该第二金属层于该基板的该下表面上之前,形成至少一贯穿该金属板且连接该上表面与该下表面的贯孔;以及
在形成该贯孔之后,形成该绝缘块于该基板的该贯孔内。
6.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该导热元件包括第一导电层、第二导电层以及绝缘材料层,且该绝缘材料层位于该第一导电层与该第二导电层之间。
7.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该导热元件的材质包括陶瓷、硅、碳化硅、钻石或金属。
8.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该导热元件的热膨胀系数小于该基板的热膨胀系数,而该导热元件的热传导系数大于该基板的热传导系数。
9.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中形成该第三金属层的方法包括电镀法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造