[发明专利]晶圆级电磁防护结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电磁防护结构及其制造方法，特别是涉及一种晶圆级电磁防护结构及其制造方法。

背景技术

电磁防护结构(EMI Shielding Structure)最主要的用途是防止各种电子电路元件之间的电磁干扰现象的发生，从构造上说，电磁防护结构主要由基板单元、电子电路单元、金属防护单元、电性连接单元组合而成。具有电磁防护结构的电子电路元件能够广泛应用于各式各样的产品当中，例如笔记本电脑、手机、电子书、平板电脑、电子游戏主机、通讯产品、数字相框、车用卫星导航、数字电视等各项应用。

现有的相关技术是这样的，在制造电磁防护结构时，电磁防护结构的基板与电子电路元件须采用各种电性连接方式，导致整体结构过于庞大，或者成品的厚度过厚，这就违背了现今电子产品轻薄短小的趋势。因此，目前急需研发一种轻薄的、微型的电磁防护结构。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术电磁防护结构电性连接方式复杂导致电磁防护结构整体结构过于庞大、成品的厚度过厚的缺陷，提供一种轻薄、微型电磁防护结构及其制造方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：

一种晶圆级电磁防护结构，包括：一晶圆以及一电磁防护单元。晶圆的顶面具有一外露线路单元，并且外露线路单元的表面上具有多个导体。电磁防护单元具有一围绕且设置于晶圆的周围表面上的第一电磁防护层及一覆盖于晶圆底面的第二防护层。第一电磁防护层与第二电磁防护层相互连接，并且使得两者彼此间形成电性连接。

优选地，该晶圆为硅晶圆，该导体为锡球或金属凸块。

优选地，该第一电磁防护层为金属材质，该第二电磁防护层为金属溅镀层。

本发明的另一技术方案为：一种晶圆级电磁防护结构的制造方法，其特点在于，其包括以下步骤：

提供一晶圆衬底，其中该晶圆衬底的顶面具有多个外露线路单元；

在该晶圆衬底的顶面形成多条凹槽，其中每一条凹槽位于两个外露线路单元之间；

在该些凹槽内形成一第一导电材料；

在每一个外露线路单元的表面上形成多个导体；

移除该晶圆衬底的底面，以形成多个晶圆且使得该第一导电材料的底面裸露出来，其中该些晶圆彼此分离一距离且分别对应于该些外露线路单元；

将一第二导电材料同时覆盖在该些晶圆的底面上以及该第一导电材料的底面上；以及

沿着该些凹槽切割该第一导电材料以及该第二导电材料，以形成多个晶圆级电磁防护结构。

优选地，该第二导电材料通过溅镀方式形成。

优选地，该晶圆衬底的底面通过研磨方式移除。

优选地，该些导体为锡球或金属凸块。

优选地，上述切割步骤中，该第一导电材料被切割成多个第一电磁防护层，该第二导电材料被切割成多个第二电磁防护层。

优选地，每一个晶圆级电磁防护结构包括有：

一晶圆，该晶圆顶面具有一外露线路单元，且该外露线路单元的表面上具有多个导体；以及

一电磁防护单元，该电磁防护单元具有一第一电磁防护层以及一第二电磁防护层，该第一电磁防护层围绕且设置于该晶圆的周围表面上，该第二电磁防护层覆盖于该晶圆的底面且连结该第一电磁防护层。

优选地，该第一电磁防护层以及该第二电磁防护层由金属材料形成。

优选地，该第一电磁防护层与该第二电磁防护层构成一电磁防护单元，该电磁防护单元用于防止该晶圆与外部环境产生电磁干扰作用。

本发明的积极进步效果在于：本发明所提供的晶圆级电磁防护结构是具有微型结构的电磁防护结构。可以通过晶圆级的制程方法，并且通过将第一电磁防护层及第二电磁防护层分别设置于晶圆的周围表面上及底面上，来构成电磁防护单元，使得晶圆及外露线路单元均具有防止电磁干扰的效果。

附图说明

图1为本发明晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的剖面示意图。

图2A为本发明晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第一步骤的剖面示意图。

图2B为本发明晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第二步骤的剖面示意图。

图2C为本发明晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第三步骤的剖面示意图。

图2D为本发明晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第四步骤的剖面示意图。

图2E为本发明晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第五步骤的剖面示意图。

图2F为本发明晶圆级电磁防护结构的其中一个实施例的第六步骤的剖面示意图。