[发明专利]NTC温度传感器芯片电极结构无效
| 申请号： | 201110071500.0 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102692280A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘英 | 申请（专利权）人： | 兴化市新兴电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/22 | 分类号： | G01K7/22 |
| 代理公司： | 泰州地益专利事务所 32108 | 代理人： | 王楚云 |
| 地址： | 225700 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ntc 温度传感器 芯片 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.NTC温度传感器芯片电极结构，包括芯片⑴和电极薄膜层⑵，其特征在于：所述的芯片⑴和电极薄膜层⑵之间还设置有过渡层⑶，所述的过渡层⑶为一层或两层。
2.根据权利要求1所述的NTC温度传感器芯片电极结构，其特征在于：所述的过渡层⑶为两层，所述的紧邻芯片⑴的过渡层⑶为铬薄膜层，所述的紧邻电极薄膜层⑵的过渡层⑶为铜薄膜层。
3.根据权利要求1或2所述的NTC温度传感器芯片电极结构，其特征在于：所述的一层或两层过渡层⑶和电极薄膜层⑵是将芯片⑴置于磁控溅射设备真空室中，采用质量纯度为99.99％的不同金属作为靶材，磁控溅射沉积而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兴化市新兴电子有限公司，未经兴化市新兴电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110071500.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
