[发明专利]用于表面增强拉曼散射研究的衬底无效
| 申请号： | 201110071515.7 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102213677A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·霍利斯特;阿格尼斯卡·卡明斯卡;伊戈尔·津切莱夫斯基;塞尔韦斯特·波罗夫斯基;塔德乌什·苏斯基;扬·魏耶尔 | 申请（专利权）人： | 波兰科学院物理化学研究所;波兰科学院高压物理研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 波兰*** | 国省代码： | 波兰;PL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 表面 增强 散射 研究 衬底 | ||
1.一种用于表面增强拉曼散射研究的衬底，其包括含有晶须并用选自银、金、铂、铜和/或它们的合金的金属涂覆的半导体表面，其特征在于，所述半导体为含镓氮化物并且基本上每个晶须均具有内部线性缺陷。
2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述晶须通过远离所述半导体表面的终端互相连接从而形成锥形束。
3.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，所述线性缺陷为位错或反转畴。
4.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，所述半导体表面上的所述金属的膜厚度为50nm至150nm，优选为70nm至80nm。
5.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，所述晶须的长度为0.2μm至2.0μm，更优选为0.5μm至1.5μm。
6.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，所述晶须的直径为40nm至150nm，更优选为50nm至70nm。
7.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，所述晶须的长度与直径之比为5至50，更优选为10至30。
8.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，所述半导体表面上的所述晶须的表面密度为108/cm2至1010/cm2。
9.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，所述金属为金。
10.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，所述含镓氮化物为氮化镓GaN。
11.根据权利要求10所述的衬底，其特征在于，所述氮化镓的半导体表面为与具有米勒指数(0001)的晶面即Ga极性晶面C类似的表面。
12.根据权利要求10所述的衬底，其特征在于，所述氮化镓的半导体表面为与具有米勒指数(000-1)的晶面即N极性晶面C类似的表面。
13.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，对于在其表面上吸附的分子，增强因子EF高于104，更优选高于106。
14.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，在相同衬底的不同点处记录的拉曼光谱的可重复性不低于80％。
15.根据前述权利要求中任一项所述的衬底，其特征在于，在不同衬底上记录的拉曼光谱的可重复性不低于75％。
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