[发明专利]平整化氮化物基板的方法有效
| 申请号： | 201110072117.7 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102586889A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李威仪;陈奎铭;吴尹豪;叶彦显 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B33/10;C25F3/12;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平整 氮化物 方法 | ||
1.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一具有下方凸起的一氮化镓基板；以及使用一干蚀刻方法蚀刻该具有下方凸起的该氮化镓基板的一上方，藉以形成平整化的氮化物基板。
2.根据权利要求2所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该干蚀刻方法所使用的一第一次蚀刻时间为7分钟，后续的蚀刻时间以14分钟进行累加。
3.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一上方凸起独立式氮化镓基板；形成一层介电层于该上方凸起独立式氮化镓基板的上方；使用一湿式蚀刻方法以蚀刻该上方凸起独立式氮化镓基板的一下方；以及移除该介电层藉以形成平整化的氮化物基板。
4.根据权利要求3所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该介电层还包含一金属层。
5.根据权利要求3所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该湿式蚀刻方法还包含电化学蚀刻方法。
6.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一下方凸起独立式氮化镓基板；
形成一层介电层于该下方凸起独立式氮化镓基板的上方；使用一湿式蚀刻方法以蚀刻该下方凸起独立式氮化镓基板的一上方；以及移除该介电层藉以形成该平整化的氮化物基板。
7.根据权利要求6所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该介电层还包含一金属层。
8.根据权利要求6所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该湿式蚀刻方法还包含电化学蚀刻方法。
9.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一上方凸起氮化物磊晶层与一异质基板，其中该上方凸起氮化物磊晶层与该异质基板相互连结；以及蚀刻该异质基板的一下方，藉以形成平整化的氮化物基板。
10.根据权利要求9所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蚀刻该异质基板的该下方的蚀刻方法是由干式蚀刻、湿式蚀刻以及电化学蚀刻等方法群组中所选出。
11.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一下方凸起氮化物磊晶层与一异质基板，其中该下方凸起氮化物磊晶层与该异质基板相互连结；以及蚀刻该异质基板的一上方，藉以形成平整化的氮化物基板。
12.根据权利要求11所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蚀刻该异质基板的该上方的蚀刻方法是由干式蚀刻、湿式蚀刻以及电化学蚀刻等方法群组中所选出。
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