[发明专利]利用可变孔隙来进行的离子注入法以及离子注入机无效

专利信息
申请号: 201110072190.4 申请日: 2011-03-17
公开(公告)号: CN102208320A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 万志民;约翰·D·波拉克;唐·贝瑞安;任克川 申请(专利权)人: 汉辰科技股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 利用 可变 孔隙 进行 离子 注入 以及
【权利要求书】:

1.一种离子注入法,利用一可变孔隙来进行,包括:

提供一离子束以及一衬底;以及

调整一孔隙调整装置内的所述可变孔隙,以通过被所述可变孔隙改变过形状的一成形后离子束来对所述衬底进行离子注入。

2.如权利要求1所述的离子注入法,其特征在于,还包括下列步骤至少其中之一:

将所述可变孔隙定位在一光学组件的一端以及紧临近于所述衬底;

在对所述衬底进行离子注入之后以及在对另一衬底进行离子注入之前,调整所述可变孔隙,以通过不同的该些成形后离子束来对不同的该些衬底进行离子注入;

在对所述衬底进行离子注入的过程中,调整所述可变孔隙至少两次,以通过不同的该些成形后离子束来对所述衬底的不同部分进行离子注入;以及

在调整所述可变孔隙的过程中暂停所述离子束与所述衬底的至少某一者的运动。

3.如权利要求1所述的离子注入法,其特征在于,所述可变孔隙通过改变用来定义所述可变孔隙的至少两个板件之间的一相对几何关系来进行调整。

4.如权利要求1所述的离子注入法,其特征在于,还包括下列步骤至少其中之一:

沿着垂直于所述离子束的一第一方向平移所述可变孔隙;以及

通过一倾斜机构或是一扭转机构在所述离子束与所述可变孔隙的一交点处绕着一三维空间中的一第二方向旋转所述可变孔隙。

5.如权利要求1所述的离子注入法,其特征在于,所述可变孔隙根据所述离子束的一横截面上的一离子束电流分布弹性地进行调整。

6.如权利要求1所述的离子注入法,其特征在于,所述可变孔隙为达到下列至少其中之一而弹性地进行调整:

仅以所述离子束的一所需部分对所述衬底进行离子注入;

遮挡住所述离子束的整个长尾段,并且所述长尾段不对所述衬底进行离子注入;

根据一掺杂区域的一所需掺杂量、所述掺杂区域的一形状以及所述掺杂区域的一尺寸至少其中之一对用来对所述衬底上的所述掺杂区域进行离子注入的所述离子束改变形状;

以不同的该些成形后离子束对不同的该些掺杂区域进行离子注入,其中该些掺杂区域中较窄的一个通过该些成形后离子束中较窄的一个进行离子注入;以及

弹性地对所述离子束改变形状,以形成不同的该些成形后离子束,藉以在不需要在所述可变孔隙之前便调整所述离子束的情况下达到不同的离子注入。

7.一种离子注入法,利用一可变孔隙来进行,包括:

提供一离子束以及一衬底;以及

先对一孔隙调整装置内的所述可变孔隙的尺寸以及形状至少其中之一弹性地进行调整,以通过所述可变孔隙对所述离子束改变形状,然后再通过成形后的所述离子束对所述衬底进行离子注入。

8.如权利要求7所述的离子注入法,其特征在于,还包括下列步骤至少其中之一:

将所述可变孔隙定位在一光学组件的一端与紧临近所述衬底;

在对所述衬底进行离子注入之后以及在对另一衬底进行离子注入之前,调整所述可变孔隙,以通过不同的该些成形后离子束来对不同的该些衬底进行离子注入;

在对所述衬底进行离子注入的过程中,调整所述可变孔隙至少两次,以通过不同的该些成形后离子束来对所述衬底的不同部分进行离子注入;以及

在调整所述可变孔隙的过程中暂停所述离子束与所述衬底的至少某一者的运动。

9.如权利要求7所述的离子注入法,其特征在于,所述可变孔隙为执行下列至少其中之一而弹性地进行调整:

根据一掺杂区域的一所需掺杂量、所述掺杂区域的一形状以及所述掺杂区域的一尺寸至少其中之一对用来对所述衬底上的所述掺杂区域进行离子注入的所述离子束改变形状;

以不同的该些成形后离子束对不同的该些掺杂区域进行离子注入,其中该些掺杂区域中较窄的一个通过该些成形后离子束中较窄的一个进行离子注入;以及

弹性地对所述离子束改变形状,以形成不同的该些成形后离子束,藉以在不需要在所述可变孔隙之前便调整所述离子束的情况下达到不同的离子注入。

10.如权利要求7所述的离子注入法,其特征在于,还包括下列步骤至少其中之一:

沿着垂直于所述离子束的一第一方向平移所述可变孔隙;以及

通过一倾斜机构或是一扭转机构在所述离子束与所述可变孔隙的一交点处绕着一三维空间中的一第二方向旋转所述可变孔隙。

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