[发明专利]化学机械抛光液

权利要求书

1.一种用于相变存储器的化学机械抛光液，其特征在于，包括：抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，以化学机械抛光液总重量为基准，所述抛光颗粒的含量为0.1wt％至30wt％，所述氧化剂的含量为0.01wt％至10wt％，所述鳌合剂的含量为0.01wt％至5wt％，所述抑制剂的含量为0.0001wt％至5wt％，所述表面活性剂的含量为0.001wt％至2wt％。

3.根据权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光颗粒的含量为0.5wt％至5wt％，所述氧化剂的含量为0.1wt％至5wt％，所述鳌合剂的含量为0.05wt％至2wt％，所述抑制剂的含量为0.001wt％至1wt％，所述表面活性剂的含量为0.001wt％至1wt％。

4.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光颗粒为胶体/烧结SiO₂，其粒径范围为1nm至500nm。

5.根据权利4所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光颗粒的粒径范围为10nm至150nm。

6.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化剂选自双氧水、过硫酸钾、过硫酸铵、碘酸，高碘酸、碘酸钾、高碘酸钾及铁氰化钾中的一种或它们的任意组合。

7.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述鳌合剂选自氟化铵、乙酸、柠檬酸胺、水杨酸、半胱氨酸、氯化铵、脯氨酸、缬氨酸、精氨酸、草酸胺、柠檬酸、苏氨酸、丁二酸、甘氨酸、溴化铵、丙氨酸、蚁酸、丝氨酸、氨基乙酸、组氨酸、酪氨酸、硫化铵、胱氨酸、酒石酸、天门冬氨酸、苏氨酸、亮氨酸、乙二胺四乙酸、异亮氨酸、对苯二酸、蛋氨酸、尿素、谷氨酸、乙酸胺、色氨酸、碘化铵、皮考林酸、葡萄糖酸及苯丙氨酸中的一种或它们的任意组合。

8.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述抑制剂选自苯丙三唑、吡唑及咪唑。

9.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、聚丙烯酸、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯、吐温80及十六烷基三甲基溴化铵中的一种或它们的任意组合。

10.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述pH调节剂/缓冲剂选自硝酸、磷酸、硫酸、盐酸、氢氧化钾、甲胺、乙胺、羟乙基乙二氨、二甲胺、三乙胺、三丙胺、己胺、辛胺及环己胺中的一种或它们的任意组合，所述pH值的范围为1至13。

11.根据权利10所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述pH值的范围为2至11。

12.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述水性介质为去离子水。

13.根据权利1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液应用于硫系化合物相变存储材料及底层介质材料的化学机械抛光工艺中。

14.根据权利13所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述硫系化合物相变存储材料的化学通式为Ge_xSb_yTe_(1-x-y)、Si_xSb_yTe_(1-x-y)、Si_mSb_100-m、Ge_mSb_100-m，其中，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，且x、y不同时为0，0＜m＜100。

15.根据权利13所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述底层介质材料为半导体中氮化硅、氧化硅、掺氟氧化硅、掺碳氧化硅、多孔氧化硅、多孔掺碳氧化硅及聚合物介质材料中的一种。