[发明专利]垂直发光二极管晶粒及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述的垂直发光二极管晶粒包括：

一第一金属，具有一第一表面、一相对的第二表面以及一第一面积；

一第二金属，位于所述第一金属的第二表面上，并具有一第二面积，其中所述第一金属的第一面积大于所述第二金属的第二面积而形成一阶状结构；

一外延堆叠体，位于所述第一金属上，所述外延堆叠体包括：

一第一型半导体层，位于所述第一金属的第一表面上；

一多重量子阱层，位于所述第一型半导体层上并用以发光；及

一第二型半导体层，位于所述多重量子阱层上。

2.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述第一型半导体层包括一p-型半导体层，而所述第二型半导体层包括一n-型半导体层。

3.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒更包括一反射体层，所述反射体层位于所述第一金属的第一表面上。

4.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述外延堆叠体在形状上约略呈锥形，其中所述第一型半导体层形成一基座部分，而所述第二型半导体层形成一顶端部分。

5.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述第一金属包括一选自于由Cu、Ni、Ag、Au、Co、Cu-Co、Ni-Co、Cu-Mo、Ni/Cu、Ni/Cu-Mo以及所述这些金属的合金所组成的群组的材料。

6.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述第二金属包括一选自于由Cu、Ni、Ag、Au、Co、Cu-Co、Ni-Co、Cu-Mo、Ni/Cu、Ni/Cu-Mo以及所述这些金属的合金所组成的群组的材料。

7.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述第一型半导体层包括一p-型半导体层，所述p-型半导体层包括一选自于由GaN、AlGaN、InGaN以及AlInGaN所组成的群组的材料。

8.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述第二型半导体层包括一n-型半导体层，所述n-型半导体层包括一选自于由GaN、AlGaN、InGaN以及AlInGaN所组成的群组的材料。

9.如权利要求1所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述第一型半导体层包括p-GaN，而所述第二型半导体层包括n-GaN。

10.一种垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒包括：

一第一金属，具有一第一表面、一相对的第二表面以及一第一面积；

一第二金属，位于所述第一金属的第二表面上，并具有一第二面积，其中所述第一金属的第一面积大于所述第二金属的第二面积；

一外延堆叠体，位于所述第一金属的第一表面上，所述外延堆叠体包括：

一p-型半导体层，位于所述第一金属的第一表面上；

一多重量子阱层，位于所述p-型半导体层上并用以发光；及

一n-型半导体层，位于所述多重量子阱层上，

所述第一金属与所述第二金属形成用以保护所述外延堆叠体的一阶状保护结构，

所述外延堆叠体具有倾斜侧壁，其中所述侧壁与所述第一金属之间的角度大于90°。

11.如权利要求10所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述垂直发光二极管晶粒更包括一反射体层，所述反射体层位于所述第一金属的第一表面上。

12.如权利要求10所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述外延堆叠体在形状上约略呈锥形，其中所述p-型半导体层形成一基座部分，而所述n-型半导体层形成一顶端部分。

13.如权利要求10所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述第一金属与所述第二金属包括一选自于由Cu、Ni、Ag、Au、Co、Cu-Co、Ni-Co、Cu-Mo、Ni/Cu、Ni/Cu-Mo以及所述这些金属的合金所组成的群组的材料。

14.如权利要求10所述的垂直发光二极管晶粒，其特征在于，所述p-型半导体层与所述n-型半导体层包括一选自于由GaN、AlGaN、InGaN以及AlInGaN所组成的群组的材料。