[发明专利]NAND快闪存储器的错误校正方法

权利要求书

1.一种NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，所述NAND快闪存储器的错误校正方法包括：

当一NAND快闪存储器中的一第一页被写入一第一数据时，根据所述第一页发生位错误的机率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型；以及

根据所述第一页所对应的错误校正码的类型与所述第一数据，产生一第一错误校正码。

2.如权利要求1所述的NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，所述第一错误校正码为BCH码或低密度同位检查码。

3.如权利要求1所述的NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，所述NAND快闪存储器为一多层单元快闪存储器；

其中当所述NAND快闪存储器中的所述第一页被写入所述第一数据时，根据所述第一页发生位错误的机率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型包括：

根据组成所述第一页的位的类型，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型。

4.如权利要求3所述的NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，根据组成所述第一页的位的类型，判断所述第一页所对应的错误校正码的类型包括：

当所述第一页由多层单元中的第一位bit0所组成时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第一类型；以及

当所述第一页由多层单元中的第二位bit1所组成时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第二类型；

其中属于所述第一类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正A个位；

其中属于所述第二类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正B个位；

其中，B＞A。

5.如权利要求4所述的NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，根据组成所述第一页的位的类型，判断所述第一页所对应的错误校正码的类型另包括：

当所述第一页由多层单元中的第三位bit2所组成时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第三类型；

其中属于所述第三类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正C个位；

其中，C＞B。

6.如权利要求1所述的NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，当所述NAND快闪存储器中的所述第一页被写入所述第一数据时，根据所述第一页发生位错误的机率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型包括：

根据所述第一页的参考位错误率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型。

7.如权利要求6所述的NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，根据所述第一页的参考位错误率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型包括：

当所述第一页的参考位错误率低于一第一参考位错误率临界值时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第一类型；以及

当所述第一页的参考位错误率高于所述第一参考位错误率临界值时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第二类型；

其中属于所述第一类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正A个位；

其中属于所述第二类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正B个位；

其中，B＞A。

8.如权利要求6所述的NAND快闪存储器的错误校正方法，其特征在于，根据所述第一页的参考位错误率，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型包括：

当所述第一页的参考位错误率低于一第一参考位错误率临界值时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第一类型；

当所述第一页的参考位错误率高于所述第一参考位错误率临界值且所述第一页的参考位错误率低于一第二参考位错误率临界值时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第二类型；以及

当所述第一页的参考位错误率高于所述第二参考位错误率临界值时，决定所述第一页所对应的错误校正码的类型为一第三类型；

其中属于所述第一类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正A个位；

其中属于所述第二类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正B个位；

其中属于所述第三类型的错误校正码于对M个位的数据进行错误校正时，至多可校正C个位；

其中，C＞B＞A。