[发明专利]抗菌镀膜件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110073091.8 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102691039A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;胡智杰 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗菌 镀膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗菌镀膜件，其包括基材，其特征在于：该抗菌镀膜件还包括形成于基材表面的抗菌层及形成于抗菌层表面的防氧化层，该抗菌层包括若干铜膜和若干钛膜，且该若干铜膜和若干钛膜为交替排布。
2.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述基材的材质为不锈钢。
3.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述抗菌镀膜件还包括形成于基材与抗菌层之间的打底层。
4.如权利要求3所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述打底层为金属钛层，其以磁控溅射的方式形成，厚度为50～100nm。
5.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：与所述打底层结合的为铜膜或钛膜，与所述防氧化层结合的为铜膜或钛膜。
6.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述抗菌层以磁控溅射的方式形成，其厚度为0.7～1.5μm。
7.如权利要求1所述的抗菌镀膜件，其特征在于：所述防氧化层为金属钛层，其以磁控溅射的方式形成，厚度为20～100nm。
8.一种抗菌镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：
提供基材；
在该基材的表面形成抗菌层，该抗菌层包括若干铜膜和若干钛膜，且该若干铜膜和若干钛膜为交替排布；
在该抗菌层的表面形成防氧化层。
9.如权利要求8所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：所述抗菌镀膜件的制备方法还包括在形成抗菌层前在基材表面形成打底层。
10.如权利要求9所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：形成打底层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用钛靶，钛靶的功率为5～10kw，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，对基材施加偏压为-50～-250V，镀膜温度为50～250℃，镀膜时间为5～10min。
11.如权利要求8所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述抗菌层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用钛靶和铜靶，钛靶的功率为5～10kw，铜靶的功率为2～8kw，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，对基材施加偏压为-50～-250V，镀膜温度为50～250℃，镀膜时间为10～30min。
12.如权利要求8所述抗菌镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述防氧化层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用钛靶，钛靶的功率为5～10kw，以氩气为工作气体，氩气流量为100～300sccm，对基材施加偏压为-50～-250V，镀膜温度为50～250℃，镀膜时间为1～10min。
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