[发明专利]红荧烯弱外延生长薄膜及其在有机薄膜晶体管中的应用

权利要求书

1.一种红荧烯弱外延生长薄膜，其特征在于，包括诱导层(3)和红荧烯薄膜(4)；所述诱导层(3)的材料和红荧烯薄膜(4)的材料红荧烯之间存在弱外延关系；所述弱外延关系是诱导层(3)的材料分子与红荧烯薄膜(4)的材料红荧烯分子之间是范德华力相互作用，诱导层(3)的材料晶体晶格与红荧烯薄膜(4)的红荧烯晶体晶格之间存在外延关系；所述诱导层3的材料是：六联苯(p-6P)、2，7-二(4-联苯基)-菲(BPPh)、2，7-二(4-联苯基)-硫芴(BPBTB)、2，6-二(4-联苯基)-苯并[1，2-b：4，5-b′]二噻吩(BPTBT)、2，5-二(4-联苯基)-[3，2-b]并二噻吩(BPTT)、5，5′-二(4-联苯基)-2，2′-二噻吩(BP2T)、5，5″-二(4-联苯基)-2，2′：5′，2″-三噻吩(BP3T)、5，5″′-二(4-联苯基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四噻吩(BP4T)、1，1′：4′，1″：4″，1″′：4″′，1″″：4″″，1″″′：4″″′，1″″″：4″″″，1″″″′-八联苯(p8P)、2，5-二(4-1，1′：4′，1″-三联苯基)-噻吩(3PT)、5，5′-二(4-1，1′：4′，1″-三联苯基)-2，2′-二噻吩(3P2T)、2，5-二(4-1，1′：4′，1″-三联苯基)-[3，2-b]并二噻吩(3PTT)、2，7-二(4-4′-氟代联苯基)-菲(F2-BPPh)、2，7-二(4-4′-氟代联苯基)-硫芴(F2-BPBTB)、2，6-二(4-4′-氟代联苯基)-苯并[1，2-b：4，5-b′]二噻吩(F2-BPTBT)、2，5-二(4-4′-氟代联苯基)-[3，2-b]并二噻吩(F2-BPTT)、5，5′-二(4-4′-氟代联苯基)-2，2′-二噻吩(F2-BP2T)、5，5″-二(4-4′-氟代联苯基)-2，2′：5′，2″-三噻吩(F2-BP3T)、5，5″′-二(4-4′-氟代联苯基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四噻吩(F2-BP4T)、4，4″″′-二(4-氟苯基)-1，1′：4′，1″：4″，1″′：4″′，1″″：4″″，1″″′-六联苯(F2-p8P)、2，5-二(4-4″-氟代-1，1′：4′，1″-三联苯基)-噻吩(F2-3PT)、2，5-二(4-4″-氟代-1，1′：4′，1″-三联苯基)-噻吩(F2-3PT)、2，5-二(4-4″-氟代-1，1′：4′，1″-三联苯基)-[3，2-b]并二噻吩(F2-3PTT)、2，7-二(4-3′，5′-二氟代联苯基)-菲(F4-BPPh)、2，7-二(4-3′，5′-二氟代联苯基)-硫芴(F4-BPBTB)、2，6-二(4-3′，5′-二氟代联苯基)-苯并[1，2-b：4，5-b′]二噻吩(F4-BPTBT)、2，5-二(4-3′，5′-二氟代联苯基)-[3，2-b]并二噻吩(F4-BPTT)、5，5′-二(4-3′，5′-二氟代联苯基)-2，2′-二噻吩(F4-BP2T)、5，5″-二(4-3′，5′-二氟代联苯基)-2，2′：5′，2″-三噻吩(F4-BP3T)、5，5″′-二(4-3′，5′-二氟代联苯基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四噻吩(F4-BP4T)、4，4″″′-二(3，5-二氟代苯基)-1，1′：4′，1″：4″，1″′：4″′，1″″：4″″，1″″′-六联苯(F4-p8P)、2，5-二(4-3″，5″-二氟代-1，1′：4′，1″-三联苯基)-噻吩(F4-3PT)、5，5′-二(4-3″，5″-二氟代-1，1′：4′，1″-三联苯基)-2，2′-二噻吩(F4-3P2T)和2，5-二(4-3″，5″-二氟代-1，1′：4′，1″-三联苯基)-[3，2-b]并二噻吩(F4-3PTT)中一种。

2.按权利要求1所述的一种红荧烯弱外延生长薄膜，其特征在于，所述的诱导层(3)的厚度不小于2纳米，不大于12纳米；所述红莹烯薄膜(4)的厚度不小于5纳米，不大于50纳米。

3.一种采用权利要求1所述的红荧烯弱外延生长薄膜的晶体管，其特征在于，其是由栅电极(1)、绝缘栅(2)、诱导层(3)、红荧烯薄膜(4)和源/漏电极(6)顺次连接构成；所述诱导层(3)和红荧烯薄膜(4)之间存在弱外延关系；所述弱外延关系是诱导层(3)的材料分子与红荧烯薄膜(4)的红荧烯分子之间是范德华力相互作用，诱导层(3)的材料晶体晶格与红荧烯薄膜(4)的红荧烯晶体晶格之间存在外延关系；所述诱导层(3)的材料同权利要求1。