[发明专利]红荧烯弱外延生长薄膜及其在有机薄膜晶体管中的应用有效

专利信息
申请号: 201110073179.X 申请日: 2011-03-25
公开(公告)号: CN102154688A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 王彤;黄丽珍 申请(专利权)人: 长春圣卓龙电子材料有限公司
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B29/54;H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 代理人: 马守忠
地址: 130021 吉林省长*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 红荧烯弱 外延 生长 薄膜 及其 有机 薄膜晶体管 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种红荧烯弱外延生长薄膜,其特征在于,包括诱导层(3)和红荧烯薄膜(4);所述诱导层(3)的材料和红荧烯薄膜(4)的材料红荧烯之间存在弱外延关系;所述弱外延关系是诱导层(3)的材料分子与红荧烯薄膜(4)的材料红荧烯分子之间是范德华力相互作用,诱导层(3)的材料晶体晶格与红荧烯薄膜(4)的红荧烯晶体晶格之间存在外延关系;所述诱导层3的材料是:六联苯(p-6P)、2,7-二(4-联苯基)-菲(BPPh)、2,7-二(4-联苯基)-硫芴(BPBTB)、2,6-二(4-联苯基)-苯并[1,2-b:4,5-b′]二噻吩(BPTBT)、2,5-二(4-联苯基)-[3,2-b]并二噻吩(BPTT)、5,5′-二(4-联苯基)-2,2′-二噻吩(BP2T)、5,5″-二(4-联苯基)-2,2′:5′,2″-三噻吩(BP3T)、5,5″′-二(4-联苯基)-2,2′:5′,2″:5″,2″′-四噻吩(BP4T)、1,1′:4′,1″:4″,1″′:4″′,1″″:4″″,1″″′:4″″′,1″″″:4″″″,1″″″′-八联苯(p8P)、2,5-二(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)-噻吩(3PT)、5,5′-二(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)-2,2′-二噻吩(3P2T)、2,5-二(4-1,1′:4′,1″-三联苯基)-[3,2-b]并二噻吩(3PTT)、2,7-二(4-4′-氟代联苯基)-菲(F2-BPPh)、2,7-二(4-4′-氟代联苯基)-硫芴(F2-BPBTB)、2,6-二(4-4′-氟代联苯基)-苯并[1,2-b:4,5-b′]二噻吩(F2-BPTBT)、2,5-二(4-4′-氟代联苯基)-[3,2-b]并二噻吩(F2-BPTT)、5,5′-二(4-4′-氟代联苯基)-2,2′-二噻吩(F2-BP2T)、5,5″-二(4-4′-氟代联苯基)-2,2′:5′,2″-三噻吩(F2-BP3T)、5,5″′-二(4-4′-氟代联苯基)-2,2′:5′,2″:5″,2″′-四噻吩(F2-BP4T)、4,4″″′-二(4-氟苯基)-1,1′:4′,1″:4″,1″′:4″′,1″″:4″″,1″″′-六联苯(F2-p8P)、2,5-二(4-4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)-噻吩(F2-3PT)、2,5-二(4-4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)-噻吩(F2-3PT)、2,5-二(4-4″-氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)-[3,2-b]并二噻吩(F2-3PTT)、2,7-二(4-3′,5′-二氟代联苯基)-菲(F4-BPPh)、2,7-二(4-3′,5′-二氟代联苯基)-硫芴(F4-BPBTB)、2,6-二(4-3′,5′-二氟代联苯基)-苯并[1,2-b:4,5-b′]二噻吩(F4-BPTBT)、2,5-二(4-3′,5′-二氟代联苯基)-[3,2-b]并二噻吩(F4-BPTT)、5,5′-二(4-3′,5′-二氟代联苯基)-2,2′-二噻吩(F4-BP2T)、5,5″-二(4-3′,5′-二氟代联苯基)-2,2′:5′,2″-三噻吩(F4-BP3T)、5,5″′-二(4-3′,5′-二氟代联苯基)-2,2′:5′,2″:5″,2″′-四噻吩(F4-BP4T)、4,4″″′-二(3,5-二氟代苯基)-1,1′:4′,1″:4″,1″′:4″′,1″″:4″″,1″″′-六联苯(F4-p8P)、2,5-二(4-3″,5″-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)-噻吩(F4-3PT)、5,5′-二(4-3″,5″-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)-2,2′-二噻吩(F4-3P2T)和2,5-二(4-3″,5″-二氟代-1,1′:4′,1″-三联苯基)-[3,2-b]并二噻吩(F4-3PTT)中一种。

2.按权利要求1所述的一种红荧烯弱外延生长薄膜,其特征在于,所述的诱导层(3)的厚度不小于2纳米,不大于12纳米;所述红莹烯薄膜(4)的厚度不小于5纳米,不大于50纳米。

3.一种采用权利要求1所述的红荧烯弱外延生长薄膜的晶体管,其特征在于,其是由栅电极(1)、绝缘栅(2)、诱导层(3)、红荧烯薄膜(4)和源/漏电极(6)顺次连接构成;所述诱导层(3)和红荧烯薄膜(4)之间存在弱外延关系;所述弱外延关系是诱导层(3)的材料分子与红荧烯薄膜(4)的红荧烯分子之间是范德华力相互作用,诱导层(3)的材料晶体晶格与红荧烯薄膜(4)的红荧烯晶体晶格之间存在外延关系;所述诱导层(3)的材料同权利要求1。

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