[发明专利]数据读取方法、存储器储存装置及其存储器控制器有效
申请号: | 201110073200.6 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102693758A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 曾建富;赖国欣 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/06;G06F13/16 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 读取 方法 存储器 储存 装置 及其 控制器 | ||
1.一种数据读取方法,用于一可复写式非挥发性存储器模块,其中该可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面,该数据读取方法包括:
将所述实体页面分组为多个实体页面群;
为所述实体页面群之中的一第一实体页面群设定一第一门槛电压组,其中该第一门槛电压组具有多个门槛电压;
使用该第一门槛电压组从一第一实体页面中读取一第一数据,其中该第一实体页面属于该第一实体页面群;
当该第一数据可藉由一错误校正电路来校正而产生一已校正数据并且对应该第一数据的一错误位元数非小于一错误位元数门槛值时,计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的多个补偿电压;
使用所述补偿电压调整该第一门槛电压组的所述门槛电压;以及
使用调整后的该第一门槛电压组从属于该第一实体页面群的所述实体页面中读取数据。
2.根据权利要求1所述的数据读取方法,还包括:
根据对应该第一实体页面群的一擦除次数动态地调整该错误位元数门槛值。
3.根据权利要求1所述的数据读取方法,还包括:
在计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的所述补偿电压之后,使用一预设调整值调整该错误位元数门槛值。
4.根据权利要求1所述的数据读取方法,其中计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的所述补偿电压的步骤包括:
藉由比对该第一数据与该已校正数据来获得一错误位元信息;以及
依据该错误位元信息来计算所述补偿电压。
5.根据权利要求1所述的数据读取方法,其中该第一实体页面中是该第一实体页面群的所述实体页面之中发生最多错误位元的实体页面。
6.一种存储器控制器,用于控制一可复写式非挥发性存储器模块,其中该可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面,该存储器控制器包括:
一存储器管理电路,用以将所述实体页面分组为多个实体页面群并且为每一所述实体页面群设定一门槛电压组,其中所述门槛电压组之中的一第一门槛电压组对应所述实体页面群之中的一第一实体页面群并且该第一门槛电压组具有多个门槛电压;
一主机界面,电性连接该存储器管理电路;
一存储器界面,电性连接该存储器管理电路,并且用以电性连接至该可复写式非挥发性存储器模块;
一错误校正电路,电性连接该存储器管理电路;以及
一补偿电压计算电路,电性连接至该存储器管理电路,
其中该存储器管理电路使用该第一门槛电压组从一第一实体页面中读取一第一数据,其中该第一实体页面属于该第一实体页面群,
其中当该错误校正电路成功地校正该第一数据而产生一已校正数据并且对应该第一数据的一错误位元数非小于一错误位元数门槛值时,该补偿电压计算电路会计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的多个补偿电压。
7.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中该存储器管理电路使用所述补偿电压调整该第一门槛电压组的所述门槛电压并且使用调整后的该第一门槛电压组从属于该第一实体页面群的所述实体页面中读取数据。
8.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中该存储器管理电路根据对应该第一实体页面群的一擦除次数动态地调整该错误位元数门槛值。
9.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中在该补偿电压计算电路计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的所述补偿电压之后,该存储器管理电路使用一预设调整值调整该错误位元数门槛值。
10.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中该补偿电压计算电路藉由比对该第一数据与该已校正数据来获得一错误位元信息并且依据该错误位元信息来计算所述补偿电压。
11.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中该第一实体页面中是该第一实体页面群的所述实体页面之中发生最多错误位元的实体页面。
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