[发明专利]薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110074292.X | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102176413A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 郝付泼;谢凡;胡君文;何基强 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/36;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 516600 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 形成 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管形成方法，其特征在于，在沟道区刻蚀成型后，包括：
利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；
采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。
2.根据权利1所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于：
所述含磷气体为：PH3、或者PH3与H2、N2、HN3、Ar、He中的一种或多种气体的混合气体。
3.根据权利1或2所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于：
所述辉光放电装置为干刻机台。
4.根据权利1所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于，在等离子体处理之后，还包括：
进行沟道保护层的沉积，所述沟道保护层覆盖所述沟道区。
5.根据权利4所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于：
采用化学气相沉积、溅射、蒸镀或涂布工艺形成所述沟道保护层。
6.根据权利4或5所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于：
所述辉光放电装置为化学气相沉积机台。
7.根据权利4或5所述的薄膜晶体管形成方法，其特征在于：
所述等离子体处理步骤和沟道保护层的沉积在同一设备内完成、或者在不同的设备内完成。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于：
所述薄膜晶体管沟道区的非晶硅中掺杂有磷原子；
所述沟道区上方覆盖有沟道保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
