[发明专利]基于双-(8-羟基喹啉合-N,O)铂(Ⅱ)的有机光电池有效
申请号: | 201110074768.X | 申请日: | 2011-02-08 |
公开(公告)号: | CN102299263A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 支志明;向海峰 | 申请(专利权)人: | 香港大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;C09K11/06;C07F15/00;H01L51/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘锴;林森 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 羟基 喹啉 有机 光电池 | ||
1.一种有机光电池,其包含
基材;
透明电极;
有机光活性层;和
金属电极;
其中所述有机光活性层包含具有结构I的双-(8-羟基喹啉合-N,O)铂(II)(PtQ2)化合物:
其中R1-R6独立地选自氢、卤素、羟基、未被取代的烷基、被取代的烷基、环烷基、未被取代的芳基、被取代的芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰胺基、芳烷基、氰基、羧基、硫、巯基、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基、或烷氧基羰基。
2.如权利要求1所述的有机光电池,其中R1-R6独立地选自氢、氟、氯、溴、碘、C1-C6烷基、C3-C6环烷基或C6-C12芳基。
3.如权利要求1或2所述的有机光电池,其中所述双-(8-羟基喹啉合-N,O)铂(II)化合物选自以下化合物:
4.如权利要求1所述的有机光电池,其中所述有机光电池为单层电池、多层电池、串叠型电池或分散异质结电池。
5.如权利要求1所述的有机光电池,其中所述透明电极在所述基材上并与所述基材相接触,并且其中所述有机光活性层在所述透明电极上并与所述透明电极相接触,并且其中所述金属电极在所述有机光活性层上。
6.如权利要求5所述的有机光电池,进一步包含激子阻挡层,其在所述有机光活性层上并与该有机光活性层相接触,其中所述金属电极在所述激子阻挡层上并与所述激子挡层相接触。
7.如权利要求6所述的有机光电池,其中所述激子阻挡层包含浴铜灵衍生物、红菲绕啉衍生物、三-8-羟基喹啉合铝衍生物或2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲衍生物。
8.如权利要求6所述的有机光电池,其中所述激子阻挡层的厚度为7.5nm-10nm。
9.如权利要求1所述的有机光电池,其中所述有机光活性层的厚度为20nm-120nm。
10.如权利要求1所述的有机光电池,其中所述有机光活性层还包含电子接受体层。
11.如权利要求13所述的有机光电池,其中所述电子接受体层包含苝衍生物、3,4,9,10-苝四羧基双苯并咪唑(PTCBI)、喹喔啉衍生物、聚(苯基喹喔啉)(PPQ)、C60、或含有C60的复合聚合物。
12.如权利要求1所述的有机光电池,其中所述透明电极在所述基材之上并与所述基材相接触;并且
所述金属电极在所述活性层之上,
其中所述活性层在所述透明电极之上并与所述透明电极相接触。
13.一种形成有机光电池的方法,包括:
在基材上形成有机光活性层,其中所述有机光活性层包含具有结构I的双-(8-羟基喹啉合-N,O)铂(II)(PtQ2):
其中R1-R6独立地是氢、卤素、羟基、未被取代的烷基、被取代的烷基、环烷基、未被取代的芳基、被取代的芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰胺基、芳烷基、氰基、羧基、硫、巯基、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基、或烷氧基羰基。
14.如权利要求13所述的方法,进一步包含:
在形成所述有机光活性层之前,形成在所述基材之上并与该基材相接触的透明电极,从而形成在所述透明电极之上并与该透明电极相接触的有机光活性层;并且
在所述有机光活性层之上形成金属电极。
15.如权利要求14所述的方法,其中所述有机光活性层和所述金属电极通过真空沉积顺序地形成,而不必中断真空。
16.如权利要求13所述的方法,其中形成所述有机光活性层包括:
在冰醋酸中回流四氯铂酸钾(K2PtCl4)与8-羟基喹啉的混合物以得到悬浮物;
用水和丙酮洗涤所述悬浮物;以及
在CH2Cl2或DMF中重结晶所述悬浮物以得到具有结构I的PtQ2配合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港大学,未经香港大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110074768.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择