[发明专利]一种发光二极管金属基板的制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管金属基板的制作方法，其步骤为：

采用金属有机物化学气相沉积方法在蓝宝石衬底（101）上依次生长N型GaN半导体层（102）、量子阱有源层（103）和P型GaN半导体层（104）；

在P型GaN半导体层（104）上蒸镀金属反射层（105），并在氮气的环境下退火使金属反射层（105）与P型GaN半导体层（104）之间形成欧姆接触；

通过磁控溅射的方法在器件需要电镀转移衬底的一面预镀上一层或者多层金属作为种子层（106）；利用光刻技术和湿化学腐蚀法对种子层（106）上将来需要裂片的部位形成沟槽；

通过高分辨光刻技术在沟槽上涂覆光刻胶（107）；

对种子层（106）的金属表面进行氧化，去除氧化层和杂质，利用电镀的方法得到金属基板（108）；

用机械切割的方法沿光刻胶（107）的位置进行切割，得到所需的芯粒。

2.根据权利要求1所述的金属基板的制作方法，其特征在于，所述种子层（106）的金属是由Ni、Al、Cr、Ta、Au、Ag、Cu、Sn、Ti中的一种或多种元素的合金构成。

3.根据权利要求1或2所述的金属基板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶（107）的厚度为100至300微米。

4.根据权利要求3所述的金属基板的制作方法，其特征在于，所述对种子层（106）的金属表面进行氧化是利用延长光刻胶（107）的后烘时间实现的，所述去除氧化层和杂质采用浸酸的方法。

5.根据权利要求4所述的金属基板的制作方法，其特征在于，所述电镀的方法是通过挂镀的方法并辅以机械搅拌和循环过滤手段得到镀层厚度为100至300微米的金属基板（108），金属基板（108）是由 Ni、Cu、Au、Fe、Co、Mo中的一种或多种任意组合的合金构成。