[发明专利]一种LED驱动电路及灯具无效

专利信息
申请号: 201110075189.7 申请日: 2011-03-28
公开(公告)号: CN102711308A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 周明杰;陈显云 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02;H02H9/04
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518052 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 驱动 电路 灯具
【权利要求书】:

1.一种LED驱动电路,分别与电池BT1和LED灯连接,其特征在于,所述LED驱动电路包括:

由电感L1和N型MOS管Q4构成的升压单元、由NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2构成的放大单元以及单片机U1;

所述电感L1的第一端接所述电池BT1的正极,所述电感L1的第二端同时接所述N型MOS管Q4的漏极和LED灯的正极,所述N型MOS管Q4的源极接地,所述N型MOS管Q4的栅极同时接NPN型三极管Q1的发射极和PNP型三极管Q2的发射极,所述NPN型三极管Q1的集电极接所述电感L1的第一端,所述PNP型三极管Q2的集电极接地,所述NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2的基极同时接所述单片机U1的第一输出端。

2.如权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于,所述LED驱动电路还包括:

由N型MOS管Q5和驱动信号放大模块构成的开关控制单元;

所述驱动信号放大模块的输入端接所述单片机U1的第二输出端,所述驱动信号放大模块的输出端接所述N型MOS管Q5的栅极,所述N型MOS管Q5的漏极接所述电池BT1的正极,所述N型MOS管Q5的源极同时接所述电感L1的第一端和NPN型三极管Q1的集电极。

3.如权利要求1所述的LED驱动电路,其特征在于,所述LED驱动电路还包括过压保护单元,所述过压保护单元包括击穿二极管D2、分压电阻R5、分压电阻R7和NPN型三极管Q3,所述击穿二极管D2的负极接LED灯的正极,所述击穿二极管D2的正极接所述分压电阻R5的第一端,所述分压电阻R5的第二端接所述NPN型三极管Q3的基极,所述NPN型三极管Q3的发射极接地,所述NPN型三极管Q3的集电极同时接所述NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2的基极,所述分压电阻R7连接在所述NPN型三极管Q3的基极与发射极之间。

4.如权利要求2所述的LED驱动电路,其特征在于,所述LED驱动电路还包括二极管D1,所述二极管D1连接在电源和N型MOS管Q5的漏极之间。

5.一种灯具,包括电池BT1和LED灯,其特征在于,所述灯具还包括LED驱动电路,所述LED驱动电路包括:

由电感L1和N型MOS管Q4构成的升压单元、由NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2构成的放大单元以及单片机U1;

所述电感L1的第一端接所述电池BT1的正极,所述电感L1的第二端同时接所述N型MOS管Q4的漏极和LED灯的正极,所述N型MOS管Q4的源极接地,所述N型MOS管Q4的栅极同时接NPN型三极管Q1的发射极和PNP型三极管Q2的发射极,所述NPN型三极管Q1的集电极接所述电感L1的第一端,所述PNP型三极管Q2的集电极接地,所述NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2的基极同时接所述单片机U1的第一输出端。

6.如权利要求5所述的灯具,其特征在于,所述LED驱动电路还包括:

由N型MOS管Q5和驱动信号放大模块构成的开关控制单元;

所述驱动信号放大模块的输入端接所述单片机U1的第二输出端,所述驱动信号放大模块的输出端接所述N型MOS管Q5的栅极,所述N型MOS管Q5的漏极接所述电池BT1的正极,所述N型MOS管Q5的源极同时接所述电感L1的第一端和NPN型三极管Q1的集电极。

7.如权利要求5所述的灯具,其特征在于,所述LED驱动电路还包括过压保护单元,所述过压保护单元包括击穿二极管D2、分压电阻R5、分压电阻R7和NPN型三极管Q3,所述击穿二极管D2的负极接LED灯的正极,所述击穿二极管D2的正极接所述分压电阻R5的第一端,所述分压电阻R5的第二端接所述NPN型三极管Q3的基极,所述NPN型三极管Q3的发射极接地,所述NPN型三极管Q3的集电极同时接所述NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2的基极,所述分压电阻R7连接在所述NPN型三极管Q3的基极与发射极之间。

8.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述LED驱动电路还包括二极管D1,所述二极管D1连接在电源和N型MOS管Q5的漏极之间。

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