[发明专利]太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池。

背景技术

近年来，特别是从地球环境问题的观点出发，太阳能电池作为下个世纪的能源的期待急剧升高。作为太阳能电池，已知有硅系、化合物系、有机系、进而是色素增敏太阳能电池等多种多样的电池。

其中，目前最广为人知的硅系太阳能电池例如如日本特开2009-123761号公报、日本特开2008-270743号中公开的那样，通过在作为半导体基板的p型硅基板的受光面上形成n+层，从而由p型硅基板与n+层形成pn结。

在p型硅基板的成为受光面的第1主面上分别形成反射防止膜和银电极。该银电极由用于与转接器(interconnector)连接的母线(bus bar)电极与从母线电极延伸的指状(finger)电极构成。在p型硅基板的与受光面成相反侧的第2主面上形成p+层。在p型硅基板的背面分别形成铝电极和用于与转接器连接的银电极。

但是，在上述构造中存在的问题是，入射光被第1主面上的银电极以及母线电极、指状电极遮住，产生了由阴影造成的损失，而且在该银电极下部产生了载流子的再结合损失。

作为解决该问题的手段，在日本特开2009-123761号公报、日本特开2008-270743号中提出了下述方案：通过在硅基板上预先形成的贯通电极，将第1主面上的银电极的一部分转给第2主面上的银电极。

然而，即使在采用了上述的贯通电极构造的情况下，通过银电极遮住入射光，还是发生由阴影造成的损失。因此，其结果当然是发电效率降低。

而且，由于需要将多个银电极在第1主面上隔着间隔形成为条纹状，因此以一片太阳能电池来看，其面积扩大具有限度。

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的课题是提供以单位面积来看的受光效率、发电效率高的太阳能电池。

本发明的另一课题是提供适合大面积化的太阳能电池。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明的太阳能电池包含第1导电型半导体层、第2导电型半导体层、第1电极和第2电极。所述第1导电型半导体层的表面成为受光面，所述第2导电型半导体层设置在所述第1导电型半导体层的背面侧，与所述第1导电型半导体层一起构成pn结。

所述第1电极贯通所述第2导电型半导体层而朝向所述第1导电型半导体层，其前端陷入所述第1导电型半导体层而被阻止，所述第2电极设置在电池背面。

如上所述，由于所述第2导电型半导体层设置在所述第1导电型半导体层的背面侧，在与第1导电型半导体层之间构成pn结，因此入射的太阳光能量转化为光电动势。

由于第1电极贯通第2导电型半导体层而朝向第1导电型半导体层，其前端陷入第1导电型半导体层而被阻止，由此第1电极不出现在受光面上。因此，不会因第1电极遮住入射光而发生由阴影造成的损失。因此，能够实现以单位面积来看的受光效率、发电效率高的太阳能电池。

进而，由于第1电极承担着对第1导电型半导体层的集电作用，因此不需要以往为必须的受光面上的电极，大面积化没有限制。通过以适当的间隔将第1电极配置为例如矩阵状等，能够实现大面积的太阳能电池。

而且，由于第1电极贯通第2导电型半导体层而朝向第1导电型半导体层，因此与外部的连接部分位于电池的背面侧，第2电极原本就在电池背面。因此，可以将母线电极或指状电极等全部在背面侧进行处理，不会通过它们遮住入射光而发生由阴影造成的损失。因此，能够实现以单位面积来看的受光效率、发电效率高的太阳能电池。

发明效果

如上所述，根据本发明，能够得到下述的效果。

(a)能够实现以单位面积来看的受光效率、发电效率高的太阳能电池。

(b)能够提供适合大面积化的太阳能电池。

本发明可以通过下述的详细说明和附图而更好地理解，这些说明和附图只是解释性的说明，因此不能认为是限制本发明。

附图说明

图1是从受光面一侧观看本发明的太阳能电池的一部分的俯视图。

图2是图1的II-II线剖面图。

具体实施方式

图1和图2是表示晶体硅型太阳能电池的代表例的图，包含第1导电型半导体层1、第2导电型半导体层2、第1电极3、和第2电极4。