[发明专利]基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置

说明书

技术领域

本发明涉及光学控制领域。

背景技术

现有的探测仪器均是光束经过光学电压互感器后的光强探测装置，光强探测装置中的光电转换器所接收的光信息是经过电压互感后产生变化的光信息，两台光电转换器将接收到的两束光使用数字信号进行比较，如果两个数字信号有差别，说明在光的传输中由于电压发生了异常，因此使经过光电转换器的光束也发生了变化，从而启动保护装置。现有技术存在的缺点是：使用两台光电探测器的成本高，并且在使用过程中受电磁干扰性强，在光信号转变为电信号后出现的误差影响很大，从而获得的两光束的偏振角度的准确率低。

发明内容

本发明为解决现有的探测装置在探测过程中光束受电磁干扰严重，以及采用数字信号判断光的偏转角度的准确率低的问题，提出基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置。

基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置，它包括光电探测器，它还包括一号电光晶体、一号半透半反镜、半波片、二号电光晶体和一号全反镜，第一入射光束经第一电光晶体透射后获得第一偏振光束，所述第一偏振光束入射至一号半透半反镜，并经一号半透半反镜分为反射光束和透射光束，所述反射光束沿与第一偏振光束的光轴垂直的方向出射；

第二入射光束经半波片透射后入射至第二电光晶体，经第二电光晶体透射后获得第二偏振光束，所述第二偏振光束入射至一号全反镜并经一号全反镜反射获得反射光束，所述反射光束与经一号半透半反镜透射的透射光束汇聚至光电探测器的光输入端。

判断在光电探测器上是否产生干涉条纹，如果没有，则电流正常传输；如果有，则电流出现异常，从而实现全光差动监测。

有益效果：本发明采用一个光电探测器对两束入射光束的偏转角度进行探测，在探测过程中光束受电磁干扰性小，判断光的偏转角度的准确率高。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；图2是本发明具体实施方式二的结构示意图；图3是本发明具体实施方式四的结构示意图。

具体实施方式

具体实施方式一、结合图1说明本具体实施方式，基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置，它包括光电探测器6，它包括一号电光晶体1、一号半透半反镜2、半波片3、二号电光晶体4和一号全反镜5，第一入射光束经第一电光晶体2透射后获得第一偏振光束，所述第一偏振光束入射至一号半透半反镜3，并经一号半透半反镜3分为反射光束和透射光束，所述反射光束沿与第一偏振光束的光轴垂直的方向出射；

第二入射光束经半波片3透射后入射至第二电光晶体4，经第二电光晶体4透射后获得第二偏振光束，所述第二偏振光束入射至一号全反镜5获得反射光束，所述反射光束与经一号半透半反镜3透射的透射光束汇聚至光电探测器5的光输入端。

本实施方式采用一台光电探测器进行探测，相对于现有采用两台光电探测器进行探测的方法，成本得以大幅度降低。

具体实施方式二、本具体实施方式与具体实施方式一所述的基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置的区别在于，它还包括一号光源11和二号光源12，第一入射光束由一号光源11发出，第二入射光束由二号光源12发出。

具体实施方式三、本具体实施方式与具体实施方式二所述的基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置的区别在于，一号光源11和二号光源12均为波段为850nm的半导体激光器。

具体实施方式四、本具体实施方式与具体实施方式一所述的基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置的区别在于，它还包括光源21、二号半透半反镜22和二号全反镜23，光源21发出的光束入射至二号半透半反镜22，经二号半透半反镜22分为反射光束和透射光束，所述反射光束入射至二号全反镜23，经二号全反镜23反射后形成第一入射光束；经二号半透半反镜22透射的透射光束形成第二入射光束。

具体实施方式五、本具体实施方式与具体实施方式四所述的基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置的区别在于，所述的光源21为波段为850nm的半导体激光器。

具体实施方式六、本具体实施方式与具体实施方式一所述的基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置的区别在于，第一入射光束和第二入射光束是完全相同的偏振光束，所述偏振光具有相同的频率、强度及偏振态。

具体实施方式七、本具体实施方式与具体实施方式一、二、三、四、五或六所述的基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置的区别在于，第一电光晶体1与第二电光晶体4完全相同，且均为LN电光传感晶体。

具体实施方式八、本具体实施方式与具体实施方式七所述的基于泡克尔斯效应的全光学差动监测装置的区别在于，所有光束传输过程均是在保偏光纤中进行的。