[发明专利]一种新型晶体硅太阳能电池结构

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：包括依次自下而上相互叠加的P型晶体硅层、N型晶体硅层、减反射膜和透明纳米晶上转换发光材料层，在透明纳米晶上转换发光材料层上设有条形正面银电极，在P型晶体硅层上设有条形分布的铝背场，相邻铝背场之间设有背面银电极；且在所述铝背场上附着有紫外激发发光材料层。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述条形正面银电极厚度为15～20微米，宽度为80～100微米。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述透明纳米晶上转换发光材料层的激发光波长高于1000nm，且发射光波长在的可见光波段范围内；所述透明纳米晶上转换发光材料层的材料为NaYF₄:Yb，Re、Y₂O₃:Er，Yb、Y₂O₂S:Yb，Er、BaYF₅:Yb，Er、Gd₂O₃:Yb，Re或CaS:Eu，Sm，其中，所述Re为Er或Tm。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：：所述减反射膜采取二氧化钛或氮化硅薄膜，其厚度为750～950埃。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于所述N型晶体硅层为掺杂磷或砷的单晶硅或多晶硅。

6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述P型晶体硅层为掺杂镓或硼的单晶硅或多晶硅。

7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述铝背场的厚度为20～25微米。

8.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述紫外激发发光材料层的激发光波长低于400nm，且发射光波长在的可见光波段范围内。

9.根据权利要求8所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述紫外激发发光材料层材料为BaMgAl₁₀O₁₇:Eu，Mn、BaMg₂Al₁₆O₂₇:Eu，Mn、Ba₂Si₃O₈:Eu、Ba₃Si₅O₁₃:Eu、Sr₃MgSi₂O₈:Eu、Sr₂SiO₄:Sm、M₂SiO₄:Eu、Sr₂MgSiO₅:Eu、Ca₈Mg(SiO₄)₄Cl₂:Ce，Eu，Mn、Ba₃Ca₄Mg(SiO₄)₄:Eu，Mn、Ba₃MgSi₂O₈:Eu，Mn、M₂Si₅N₈:Eu、MAlSiN₃:Eu、β-SiAlON:Eu、CdZnS:Cu、Ba₂ZnS₃:Mn、ZnS:Ag、BaGa₂S₄:Ce，Na、YBO₃:Eu或Y₂O₃:Ln；其中，所述M₂SiO₄:Eu中，M为Ba或Ca；所述M₂Si₅N₈:Eu中，M为Ca或Sr或Ba；所述Y₂O₃:Ln中，Ln为Eu或Tb。

10.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于：所述背面银电极为条形，其厚度为15～20微米，宽度为2～4毫米。