[发明专利]等离子体氮化处理方法无效
| 申请号： | 201110075945.6 | 申请日： | 2005-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102181819A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 松山征嗣;中西敏雄;尾崎成则;足立光;高槻浩一;佐藤吉宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;H01L21/28;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 氮化 处理 方法 | ||
1.一种等离子体氮化处理方法，其利用等离子体对氧化膜进行氮化，其特征在于：
将形成有所述氧化膜的基板搬入到处理容器内，
一边向所述处理容器内供给Ar气体，一边使所述处理容器内为减压气氛，对所述基板进行加热以进行预热，
在所述处理容器内将所述Ar气体的等离子体点火，
在等离子体点火后进一步对所述处理容器内进行减压，向该处理容器内供给氮气，将压力调整为1.3Pa～133.3Pa使等离子体稳定，利用所述等离子体对所述氧化膜进行等离子体氮化处理，
所述等离子体的点火的压力被设定为比所述等离子体氮化处理时的压力高的压力进行点火。
2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
实施所述氮化处理后的所述氧化膜的氮浓度为1～20原子％。
3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述等离子体氮化处理由通过断续供给微波而形成的等离子体进行。
4.如权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述断续供给的微波的供给接通时间，每1个周期为5～100μs。
5.如权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述断续供给的微波的供给和停止的重复周期为5kHz～100kHz。
6.如权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述微波的接通占空比为9～90％。
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述等离子体氮化处理之后，进一步对所述基板进行退火处理。
8.如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述退火处理在N2/O2混合气体气氛下进行。
9.如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述退火处理进行1～30秒。
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