[发明专利]通过基于印刷的组装制造的光学系统有效
申请号: | 201110076041.5 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN102176486A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | J·罗杰斯;R·纳佐;M·梅尔特;E·梅纳德;A·J·巴卡;M·穆塔拉;J-H·安;S-I·朴;C-J·于;H·C·高;M·斯托伊克维奇;J·尹 | 申请(专利权)人: | 伊利诺伊大学评议会;森普瑞斯公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L21/77;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 郑建晖;杨勇 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 基于 印刷 组装 制造 光学系统 | ||
1.一种制造半导体基光学系统的方法,所述方法包含以下步骤:
提供具有接收表面的器件衬底;和
经由接触印刷将可印刷半导体元件组装在所述衬底的所述接收表面上,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构:该半导体结构具有选自0.0001毫米至1000毫米范围的长度、选自0.0001毫米至1000毫米范围的宽度和选自0.00001毫米至3毫米范围的厚度。
2.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构:该半导体结构具有选自0.02毫米至30毫米范围的长度和选自0.02毫米至30毫米范围的宽度。
3.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构:该半导体结构具有选自0.1毫米至1毫米范围的长度和选自0.1毫米至1毫米范围的宽度。
4.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构:该半导体结构具有选自1毫米至10毫米范围的长度和选自1毫米至10毫米范围的宽度。
5.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构:该半导体结构具有选自0.0003毫米至0.3毫米范围的厚度。
6.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构:该半导体结构具有选自0.002毫米至0.02毫米范围的厚度。
7.权利要求1的方法,包含经由接触印刷将多个可印刷半导体元件组装在所述衬底的所述接收表面上,其中每个所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构:该半导体结构具有选自0.0001毫米至1000毫米范围的长度、选自0.0001毫米至1000毫米范围的宽度和选自0.00001毫米至3毫米范围的厚度。
8.权利要求1的方法,进一步包含使所述器件衬底的所述接收表面预图案化有一个或多个器件构件的步骤。
9.权利要求1的方法,进一步包含提供与所述可印刷半导体元件光连通的一个或多个光学构件。
10.权利要求7的方法,进一步包含提供光学构件阵列的步骤,所述光学构件选自:散射光学器件、色散光学器件、会聚光学器件、聚集光学器件和光纤,其中所述光学构件阵列被设置为与至少一部分所述可印刷半导体元件光连通。
11.权利要求10的方法,其中所述阵列的光学构件被单独地定址到每个所述可印刷半导体元件。
12.权利要求10的方法,其中所述光学构件阵列经由复制模制来制造,其中所述可印刷半导体元件经由接触印刷被组装在所述光学构件阵列的接收表面上。
13.权利要求1的方法,进一步包含对第一和第二电极进行图案化,所述第一和第二电极与所述可印刷半导体元件的暴露表面电接触。
14.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件经由干式转移接触印刷被组装在所述接收表面上。
15.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件使用顺应性转移器件被组装在所述接收表面上。
16.权利要求15的方法,其中所述组装步骤包含:
提供具有接触表面的所述顺应性转移器件;
在所述可印刷半导体元件的外表面和所述顺应性转移器件的所述接触表面之间建立共形接触,其中所述共形接触将所述可印刷半导体元件结合到所述接触表面;
使被结合到所述接触表面的所述可印刷半导体元件和所述器件衬底的所述接收表面接触;和
使所述可印刷半导体元件和所述顺应性转移器件的所述接触表面分离,由此将所述可印刷半导体元件组装在所述器件衬底的所述接收表面上。
17.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件借助于弹性转移器件被组装在所述接收表面上。
18.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件借助于弹性印模被组装在所述接收表面上。
19.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件是电子器件或电子器件的构件。
20.权利要求1的方法,其中所述可印刷半导体元件是这样的电子器件,其选自:LED、激光器、太阳能电池、传感器、二极管、晶体管、p-n结、集成电路和光电二极管。
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