[发明专利]用于微电子基底的清洁组合物

权利要求书

1.一种不含硅酸盐的清洁组合物，其在pH＞9的强碱性条件下和在H₂O₂的存在下稳定，且其能够从铜金属化的或Al或Al(Cu)金属化的、且具有低κ或高κ电介质的微电子基底清洁光致抗蚀剂残留物、等离子过程生成的有机化合物、有机金属化合物和无机化合物的残留物、防反射涂层，以及能够清洁如化学机械抛光(CMP)的平整过程中产生的残留物，以及在平整浆料残留物中用作添加剂，所述组合物基本上由以下组成：

约10至约90重量％的具有氢键键合能力以及与氧化剂发生最小程度的反应或不发生反应的极性有机溶剂，其中该极性有机溶剂选自二甲基哌啶酮和砜；

约0.1至约10重量％的组分，其选自氢氧化四烷基铵、胆碱氢氧化物、氢氧化钠和氢氧化钾；

约10至约60重量％的水；和

约0.1至约5重量％的螯合剂或金属络合剂，其选自反-1，2-环己烷二胺四乙酸(CyDTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、锡酸盐、焦膦酸盐、亚烷基-二膦酸衍生物和包含乙二胺、二亚乙基三胺或三亚乙基四胺官能部分的膦酸盐。

2.权利要求1所述的清洁组合物，其中所述极性有机溶剂为砜和所述螯合剂或金属络合剂为反-1，2-环己烷二胺四乙酸。

3.权利要求2所述的清洁组合物，其基本上由以下组成：砜、氢氧化四甲基铵、反-1，2-环己烷二胺四乙酸和水。

4.权利要求1所述的清洁组合物，所述组合物由以下组成：

约10至约90重量％的具有氢键键合能力以及与氧化剂发生最小程度的反应或不发生反应的极性有机溶剂，其中该极性有机溶剂选自二甲基哌啶酮和砜；

约0.1至约10重量％的组分，其选自氢氧化四烷基铵、胆碱氢氧化物、氢氧化钠和氢氧化钾；

约10至约60重量％的水；和

约0.1至约5重量％的螯合剂或金属络合剂，其选自反-1，2-环己烷二胺四乙酸(CyDTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、锡酸盐、焦膦酸盐、亚烷基-二膦酸衍生物和包含乙二胺、二亚乙基三胺或三亚乙基四胺官能部分的膦酸盐。

5.权利要求4所述的清洁组合物，其中所述极性有机溶剂为砜和所述螯合剂或金属络合剂为反-1，2-环己烷二胺四乙酸。

6.权利要求5所述的清洁组合物，其由以下组成：砜、氢氧化四甲基铵、反-1，2-环己烷二胺四乙酸和水。

7.权利要求1所述的清洁组合物，所述组合物基本上由以下组成：

约10至约90重量％的环丁砜；

约0.1至约10重量％的氢氧化四烷基铵；

约10至约60重量％的水；和

约0.1至约5重量％的螯合剂或金属络合剂，其选自反-1，2-环己烷二胺四乙酸(CyDTA)和乙二胺四(亚甲基膦酸)。

8.权利要求7所述的清洁组合物，其基本上由以下组成：环丁砜、氢氧化四甲基铵、反-1，2-环己烷二胺四乙酸和水。

9.权利要求7所述的清洁组合物，其由以下组成：环丁砜、氢氧化四甲基铵、反-1，2-环己烷二胺四乙酸和水。

10.一种用于从铜金属化的或Al或Al(Cu)金属化的、且具有低κ或高κ电介质的微电子基底清洁光致抗蚀剂残留物、等离子过程生成的有机化合物、有机金属化合物和无机化合物的残留物、和防反射涂层的方法，该方法包含将基底与清洁组合物接触足够的时间以从基底清洁光致抗蚀剂和残留物，其中所述清洁组合物为根据权利要求1至9任一项的组合物。