[发明专利]一种生长有序硅基锗量子点的方法

权利要求书

1.一种生长有序硅基锗量子点的方法，包括以下步骤：

(1)清洗硅片，钝化后获得致密的SiO₂表面作为生长基底；

(2)将多孔氧化铝薄膜贴在硅片表面并通孔，在无水乙醇中浸泡后用氮气吹干，所述的多孔氧化铝薄膜的厚度300-400nm，所述的多孔氧化铝薄膜的孔洞直径为50-100nm；

(3)将步骤(2)处理后的带有多孔氧化铝薄膜的硅片放入分子束外延生长设备进行外延生长锗，其中衬底硅片温度为380-420℃，锗束源的加热温度为1190-1210℃，生长时间为40-60分钟；

(4)生长结束后，在所述的分子束外延设备中继续对衬底硅片进行700-800℃退火10-20分钟，使得所述的多孔氧化铝薄膜起皱或脱落；取出真空室后，用0.1-0.2Mpa的氮气将所述的多孔氧化铝薄膜剥离。

2.如权利要求1所述的生长有序硅基锗量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(1)中，所述的清洗硅片采取RCA清洗。

3.如权利要求1所述的生长有序硅基锗量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(2)中，所述的多孔氧化铝薄膜通过在铝基底上进行阳极氧化获得。

4.如权利要求1所述的生长有序硅基锗量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(3)中，所述的衬底硅片温度为400℃。

5.如权利要求1所述的生长有序硅基锗量子点的方法，其特征在于：所述的步骤(4)中，用0.2Mpa的氮气将所述的多孔氧化铝模板剥离。