[发明专利]硅锗碳薄膜质量检测方法和半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110076569.2 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102230790A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/30 | 分类号： | G01B11/30;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅锗碳 薄膜 质量 检测 方法 半导体器件 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅锗碳薄膜质量检测方法，其特征在于，包括：
表面粗糙度扫描步骤，用于利用不具有破坏性的表面扫描装置扫描硅锗碳薄膜的表面粗糙度，以获取表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据；以及
分析步骤，用于对所述表示硅锗碳薄膜的表面粗糙度的数据进行分析，以获取与硅锗碳薄膜质量相关的信息。
2.根据权利要求1所述的检测硅锗碳薄膜质量的方法，其特征在于，其中碳含量不大于SiGe薄膜的8％。
3.根据权利要求1或2所述的检测硅锗碳薄膜质量的方法，其特征在于，其中所述表面扫描装置是光学表面扫描装置。
4.根据权利要求3所述的检测硅锗碳薄膜质量的方法，其特征在于，其中所述表面扫描装置是SP1 TBI光学表面扫描装置。
5.根据权利要求1或2所述的检测硅锗碳薄膜质量的方法，其特征在于，其中在所述表面粗糙度扫描步骤中，在照射激光并旋转晶圆的同时移动晶圆。
6.一种半导体器件制造方法，其特征在于，其采用了根据权利要求1至5之一所述的检测硅锗碳薄膜质量的方法。
7.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，其特征在于，其中所述半导体器件为异质结晶体管。
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