[发明专利]消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件无效
| 申请号： | 201110076576.2 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102176430A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 任晓辉;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 栅极 侧壁 沉积 方法 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于包括：
栅极侧壁杂质刻蚀步骤，用于通过硬掩膜尺寸调整在刻蚀过程中去除栅极侧壁杂质。
2.根据权利要求1所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中栅极的材料包含钨或者含有钨的合金。
3.根据权利要求1或2所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极侧壁杂质为基于钨的聚合物。
4.根据权利要求1或2所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极侧壁杂质刻蚀步骤采用CF4和CHF3的混合气体作为刻蚀气体。
5.根据权利要求3所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述混合气体中CF4的体积与CHF3的体积之比不小于4。
6.根据权利要求5所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极侧壁杂质刻蚀步骤降低了半导体器件的关键尺寸。
7.一种采用权利要求1至6之一所述的消除栅极侧壁再沉积的方法而得到的半导体器件。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，其中所述半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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