[发明专利]一种液晶显示器件、阵列基板和彩膜基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器件，其特征在于，包括：

下基板；

黑矩阵，形成在所述下基板之上；

顶栅型薄膜晶体管TFT器件，形成在所述黑矩阵之上；

上基板；

像素层，形成在所述上基板上；

彩膜透明导电氧化物ITO电极，形成在所述像素层之上；

液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。

2.如权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述顶栅型TFT器件包括：

有源层，形成在所述黑矩阵上；

欧姆接触层，形成在所述有源层上；

源电极和漏电极，形成在所述欧姆接触层上；

绝缘层，覆盖在所述源电极和漏电极上；

栅电极和TFT ITO电极，且，TFT ITO电极通过所述绝缘层上的通路孔和源电极相连。

3.如权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述顶栅型TFT器件形成在所述黑矩阵的覆盖区域内。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

黑矩阵，形成在所述基板之上；

顶栅型薄膜晶体管TFT器件，形成在所述黑矩阵之上。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述顶栅型TFT器件包括：

有源层，形成在所述黑矩阵上；

欧姆接触层，形成在所述有源层上；

源电极和漏电极，形成在所述欧姆接触层上；

绝缘层，覆盖在所述源电极和漏电极上；

栅电极和TFT透明导电氧化物ITO电极，且，TFT ITO电极通过所述绝缘层上的通路孔和源电极搭接。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述顶栅型TFT器件形成在所述黑矩阵的覆盖区域内。

7.一种彩膜基板，其特征在于，包括：

基板；

像素层，形成在所述基板上；

透明导电氧化物ITO电极，形成在所述像素层之上。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成黑矩阵；

在所述黑矩阵之上集成顶栅型薄膜晶体管TFT器件。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述黑矩阵之上集成顶栅型TFT器件，包括：

在所述黑矩阵上形成起开关作用的有源层；

在所述有源层上面形成欧姆接触层；

将源电极和漏电极集成在所述欧姆接触层上面；

在除源电极和漏电极以及沟道区外部分的光阻胶显影掉，在沟道区进行部分曝光；

进行信号线的刻蚀，形成源极漏极线；

通过灰化过程将经过显影后得到的沟道区内的光阻胶去除，再进行沟道内刻蚀；

在经过再次刻蚀后的外部形成绝缘层，且在源电极上形成通路孔；

在所述绝缘层上形成像素电极层，且将像素电极通过所述绝缘层上的通路孔和源电极搭接；

利用栅电极掩膜处理形成栅电极层。

10.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上集成像素层；

在所述像素层集成透明导电氧化物ITO电极。