[发明专利]一种高密度电阻型随机存储单元无效
申请号: | 201110076685.4 | 申请日: | 2011-03-29 |
公开(公告)号: | CN102208531A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 邓宁;张树超;焦斌;陈培毅 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C11/56 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 黄家俊 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高密度 电阻 随机 存储 单元 | ||
1.一种高密度电阻型随机存储单元,由晶体管和电阻型随机存储单元组成,其特征是该存储单元的阻变部分嵌入在晶体管的栅氧化层和栅电极层之间;
所述阻变部分包括上电极、阻变层、下电极,上电极在阻变层之上;阻变层在下电极之上。
2.根据权利要求2所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述写操作是在阻变层进行的。
3.根据权利要求2所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述读操作是在阻变层的两端进行的。
4.根据权利要求1所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述阻变层为金属氧化物、有机材料或碳基材料。
5.根据权利要求1所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述上电极为钛Ti、铂Pt、钨W、铜Cu或多晶硅。
6.根据权利要求1所述一种高密度电阻型随机存储单元,其特征是所述下电极为钛Ti、铂Pt、钨W、铜Cu或多晶硅。
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