[发明专利]彩色滤光阵列基板及其制造方法和液晶显示面板无效

专利信息
申请号: 201110076725.5 申请日: 2011-03-29
公开(公告)号: CN102722056A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 姚琪;曹占锋;戴天明;张锋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L21/77
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 彩色 滤光 阵列 及其 制造 方法 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种彩色滤光阵列基板,包括阵列基板,其特征在于,所述阵列基板上形成有彩色光阻图形和黑矩阵图形。

2.根据权利要求1所述的彩色滤光阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:第一衬底基板和形成于所述第一衬底基板上的栅线、数据线、薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管连接的像素电极图形;

则所述彩色光阻图形形成于所述像素电极图形之上,所述黑矩阵图形形成于所述薄膜晶体管的沟道之上并覆盖所述沟道。

3.根据权利要求2所述的彩色滤光阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:第一保护层和第二保护层,所述薄膜晶体管包括栅极金属图形、有源层图形、源极金属图形和漏极金属图形;

所述栅线和所述栅极金属图形形成于所述第一衬底基板之上;

所述第一保护层形成于所述栅线和所述栅极金属图形之上;

所述有源层图形和所述数据线形成于所述第一保护层之上;所述源极金属图形和所述漏极金属图形形成于所述有源层图形之上;

所述第二保护层形成于所述数据线、所述有源层图形、所述源极金属图形和所述漏极金属图形之上;

所述像素电极图形形成于所述第二保护层之上,所述像素电极图形连接所述漏极金属图形。

4.根据权利要求1至3任一所述的彩色滤光阵列基板,其特征在于,所述彩色光阻图形包括红色光阻图形、绿色光阻图形和蓝色光阻图形。

5.根据权利要求1至3任一所述的彩色滤光阵列基板,其特征在于,所述彩色光阻图形和所述黑矩阵图形形成平整的表面。

6.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:对盒设置的彩色滤光阵列基板和第二衬底基板,所述彩色滤光阵列基板和所述第二衬底基板之间填充有液晶层,所述彩色滤光阵列基板和所述第二衬底基板之间设置有起支撑作用的隔垫物;

所述彩色滤光阵列采用权利要求1至5任一所述的彩色滤光阵列基板。

7.根据权利要求6所述的液晶显示面板,其特征在于,还包括:公共电极层;

所述公共电极层形成于所述第二衬底基板上,或者所述公共电极层形成于所述彩色光阻图形和所述黑矩阵图形上。

8.一种彩色滤光阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

形成阵列基板和位于所述阵列基板上的彩色光阻图形和黑矩阵图形。

9.根据权利要求8所述的彩色滤光阵列基板的制造方法,其特征在于,所述阵列基板包括像素区和位于所述像素区周边的外围电路区,则所述形成阵列基板和位于所述阵列基板上的彩色光阻图形和黑矩阵图形包括:

步骤101、在第一衬底基板上形成栅线、数据线、位于所述像素区的薄膜晶体管以及位于所述外围电路区的栅极引线金属图形和源漏极引线金属图形;

步骤102、在完成步骤101的第一衬底基板上形成彩色光阻图形、位于所述像素区的像素电极图形和位于所述外围电路区的连接电极图形,所述彩色光阻图形位于所述像素电极图形之上,所述像素电极图形连接所述薄膜晶体管;

步骤103、在完成步骤102的第一衬底基板上形成黑矩阵图形,所述黑矩阵图形位于所述薄膜晶体管的沟道之上并覆盖所述沟道。

10.根据权利要求9所述的彩色滤光阵列基板的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:栅极金属图形、有源层图形、源极金属图形和漏极金属图形;

则所述步骤101包括:

步骤1011、在所述第一衬底基板上形成所述栅线、所述栅极金属图形和所述栅极引线金属图形;

步骤1012、在完成步骤1011的第一衬底基板上形成第一保护层,所述第一保护层位于所述栅线、所述栅极金属图形和所述栅极引线金属图形之上;

步骤1013、在所述第一保护层上形成所述有源层图形;

步骤1014、形成所述数据线、所述源极金属图形、所述漏极金属图形和所述源漏极引线金属图形,所述数据线和所述源漏极引线金属图形位于所述第一保护层之上,所述源极金属图形和所述漏极金属图形位于所述有源层图形之上;

步骤1015、在完成步骤1014的第一衬底基板上形成第二保护层,所述第二保护层位于所述数据线、所述源极金属图形、所述漏极金属图形和所述源漏极引线金属图形上。

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