[发明专利]具有微构造的基板及其制备方法

权利要求书

1.一种具有微构造的基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一蓝宝石基底，所述蓝宝石基底具有一外延生长面；

在所述基底的外延生长面生长一低温GaN缓冲层；

在所述缓冲层远离基底的表面设置一碳纳米管层；

在所述缓冲层远离基底的表面生长一GaN外延层；以及

去除所述基底。

2.如权利要求1所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述基底的去除方法为在一真空环境或保护性气体环境利用激光对所述基底进行扫描照射使缓冲层分解。

3.如权利要求2所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述激光波长为248nm，脉冲宽度为20～40ns，能量密度为400～600mJ/cm²,光斑形状为方形，其聚焦尺寸为0.5mm×0.5mm，扫描步长为0.5mm/s。

4.一种具有微构造的基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底，所述基底具有一外延生长面；

在所述基底的外延生长面生长一缓冲层；

在缓冲层的表面设置一碳纳米管层；

在设置有碳纳米管层的缓冲层表面生长一外延层；以及

去除所述基底。

5.如权利要求4所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的自支撑结构。

6.如权利要求4所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层与缓冲层接触设置。

7.如权利要求5所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管层具有多个开口，所述外延层从所述开口处外延生长。

8.如权利要求7所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层从碳纳米管层的开口中暴露出来，外延层从所述缓冲层暴露的部分生长。

9.如权利要求4所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述外延层在所述碳纳米管层周围形成多个凹槽，所述凹槽将所述碳纳米管层中的碳纳米管半包围。

10.如权利要求4所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述外延层的生长方法包括分子束外延法、化学束外延法、减压外延法、低温外延法、选择外延法、液相沉积外延法、金属有机气相外延法、超真空化学气相沉积法、氢化物气相外延法、以及金属有机化学气相沉积法中的一种或多种。

11.如权利要求4所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，所述基底的去除方法包括激光照射法、腐蚀法以及温差分离法。

12.如权利要求4所述的具有微构造的基板的制备方法，其特征在于，在去除基底之前进一步包括一在所述外延层远离基底的表面设置一碳纳米管层以及所述外延层远离基底的表面进一步生长外延层的步骤。

13.一种具有微构造的基板，其包括一半导体外延层及一碳纳米管层，所述半导体外延层一表面具有多个凹槽以形成一图案化表面，所述碳纳米管层设置于该半导体外延层的图案化的表面，并嵌入该半导体外延层中。

14.如权利要求13所述的具有微构造的基板，其特征在于，所述碳纳米管层中的碳纳米管设置于所述图案化的表面的凹槽中。

15.如权利要求14所述的具有微构造的基板，其特征在于，所述碳纳米管层部分暴露于所述图案化的表面。

16.如权利要求13所述的具有微构造的基板，其特征在于，每个凹槽内设置有一个碳纳米管或由多个碳纳米管组成的一碳纳米管束，设置在多个凹槽内的碳纳米管相互通过范德华力连接构成所述碳纳米管层。

17.如权利要求13所述的具有微构造的基板，其特征在于，所述碳纳米管层具有多个开口，所述开口内均渗透有半导体外延层。

18.如权利要求13所述的具有微构造的基板，其特征在于，所述碳纳米管层中的碳纳米管与所述凹槽内表面部分接触，碳纳米管在范德华力的作用下吸附于凹槽中。