[发明专利]磷锑共掺杂锡酸锌薄膜、其制备方法及有机电致发光器件

权利要求书

1.一种磷锑共掺杂锡酸锌薄膜，其特征在于，该薄膜包含如下化学组分(质量百分比)：

P₂O₅  0.5～5％；

Sb₂O₅  1～10％；

余量为ZnO和SnO₂，且ZnO和SnO₂质量百分比为52∶48。

2.根据权利要求1所述的磷锑共掺杂锡酸锌薄膜，其特征在于，该薄膜包含如下化学组分(质量百分比)：

3.一种磷锑共掺杂锡酸锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，将ZnO，SnO₂，P₂O₅和Sb₂O₅粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制成靶材；其中，P₂O₅占总量的0.5～5％(质量百分比)，Sb₂O₅占总量的1～10％(质量百分比)，余量为ZnO和SnO₂，且ZnO和SnO₂质量百分比为52∶48；

步骤S2，将步骤S1中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间；

步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为50～90mm，磁控溅射工作压强0.2～1.5Pa，氩气工作气体的流量15～25sccm，衬底温度为100℃～700℃；接着进行制膜，得到所述磷锑共掺杂锡酸锌薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，ZnO的质量百分比为46.8％，SnO₂的质量百分比为43.2％，P₂O₅的质量百分比为2％，Sb₂O₅的质量百分比为8％。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述靶材制备的烧结温度为1200℃。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，真空腔体的真空度设置在6.0×10^-4Pa。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚砜中的任一种。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述基靶间距为60mm；所述磁控溅射工作压强为1.0Pa；所述氩气工作气体的流量为20sccm；所述衬底温度为450℃。

9.一种有机电致发光器件，该器件为复合层状结构，该复合层状结构依次为衬底、磷锑共掺杂锡酸锌薄膜、发光层以及阴极层，其特征在于，所述磷锑共掺杂锡酸锌薄膜包含如下化学组分(质量百分比)：

P₂O₅  0.5～5％；

Sb₂O₅ 1～10％；

余量为ZnO和SnO₂，且ZnO和SnO₂质量百分比为52∶48。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，其特征在于，该薄膜包含如下化学组分(质量百分比)：