[发明专利]高透光度平面内转换液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种水平电场型液晶显示器，包括：

基板；

栅极线和数据线，彼此交叉且在基板上限定像素区域，在所述栅极线和数据线之间具有栅极绝缘层；

薄膜晶体管，形成在所述栅极线和数据线交叉处；

像素电极，在所述栅极绝缘层上接触所述薄膜晶体管；

公共电极，与所述像素电极平行地隔着预定距离设置；和

钝化层，覆盖包括所述像素电极和公共电极的基板的整个表面。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中所述像素电极与公共电极之间的预定距离是所述像素电极与公共电极中至少一个宽度的0.5-1.5倍。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括：

栅极焊盘，形成在所述栅极线的一端；

数据焊盘，形成在所述数据线的一端；

数据焊盘接触孔，穿过所述钝化层暴露所述数据焊盘的一些部分；

栅极焊盘接触孔，穿过所述钝化层和栅极绝缘层暴露所述栅极焊盘的一些部分；

数据焊盘端子，填充在所述数据焊盘接触孔中并且接触所述数据焊盘；和

栅极焊盘端子，填充在所述栅极焊盘接触孔中并且接触所述栅极焊盘。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括：

公共线，与所述栅极线平行地设置在同一水平面上；

公共接触孔，穿过所述钝化层暴露所述公共电极的一些部分，并且穿过所述钝化层和栅极绝缘层暴露所述公共线的一些部分；和

公共连接端子，填充在所述公共接触孔中，并且连接所述公共电极和公共线。

5.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中所述薄膜晶体管包括：

栅极电极，从所述栅极线分支出；

半导体层，在覆盖所述栅极线和栅极电极的栅极绝缘层上与所述栅极电极重叠；

源极电极，形成在所述栅极绝缘层上，从所述数据线分支出并且接触所述半导体层的一侧；和

漏极电极，接触所述半导体层的另一侧，并且与所述源极电极相对。

6.一种高透光度平面内转换液晶显示器的制造方法，包括：

第一掩模工序，通过在基板上沉积和图案化栅极金属来形成栅极元件；

第二掩模工序，通过顺序沉积栅极绝缘层、半导体材料和源极-漏极金属，并且通过图案化所述半导体材料和源极-漏极金属以形成源极-漏极元件来完成薄膜晶体管；

第三掩模工序，通过在所述栅极绝缘层上沉积和图案化透明导电材料，形成连接所述薄膜晶体管的像素电极和与所述像素电极平行地隔着预定距离设置的公共电极；和

第四掩模工序，通过在具有所述像素电极和公共电极的基板的整个表面上沉积和图案化钝化层，形成暴露所述栅极元件的一些部分的栅极接触孔和暴露所述源极-漏极元件的一些部分的数据接触孔，并且形成分别填充在所述栅极接触孔和数据接触孔中的栅极端子和数据端子。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第四掩模工序包括：

在所述钝化层上沉积和图案化光刻胶；

用图案化的光刻胶形成所述栅极接触孔和数据接触孔；

在具有所述图案化的光刻胶、栅极接触孔和数据接触孔的基板的整个表面上沉积导电材料；和

通过去除所述图案化的光刻胶形成栅极端子和数据端子，以选择性地去除沉积在所述光刻胶上的导电材料和保留填充在所述栅极接触孔和数据接触孔中的导电材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掩模工序中的所述栅极元件包括：

栅极线；

从所述栅极线分支出的栅极电极；

形成在所述栅极线一端的栅极焊盘；和

与所述栅极线平行设置的公共线，

其中所述第四掩模工序中的所述栅极接触孔包括：

栅极焊盘接触孔，穿过所述钝化层和栅极绝缘层暴露所述栅极焊盘的一些部分；和

公共接触孔，穿过所述钝化层和栅极绝缘层暴露所述公共线的一些部分，并且穿过所述钝化层暴露所述公共电极的一些部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第四掩模工序中的所述栅极端子包括：

填充在所述栅极焊盘接触孔中并且接触所述栅极焊盘的栅极焊盘端子；和

填充在所述公共接触孔中并且将所述公共线的一些部分与所述公共电极的一些部分连接起来的公共连接端子。