[发明专利]电源装置及调节死区时间的方法

权利要求书

1.一种电源装置，包括电源变换器及调节器，所述电源变换器包括原边金属-氧化物-半导体场效应晶体管mosfet、副边mosfet和变压器，所述原边mosfet连接到所述变压器的初级绕组，所述副边mosfet连接到所述变压器的次级绕组，其特征在于，所述调节器包括：

电流采样单元，用于对所述电源变换器的原边电流进行采样，并产生用于表征被采样电流大小的电压；

参考电压产生单元，用于产生参考电压，所述参考电压为恒定值或者与所述原边的输入电压呈反向变化关系；

信号处理单元，用于根据所述表征被采样电流大小的电压和参考电压，产生用于表征死区时间的死区参数，所述死区参数为电压值或者电流值；

控制单元，用于根据所述死区参数调节死区时间，使得所述死区时间与被采样电流呈反向变化关系，以及，所述死区时间与所述输入电压呈正向变化关系，并根据调节后的死区时间对所述电源变换器中的原边mosfet，或者，对所述原边mosfet和所述电源变换器中的副边mosfet进行开关控制。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，当所述参考电压与所述输入电压呈反向变化关系时，所述参考电压产生单元包括：

PWM芯片、mosfet、电容、比较器、滤波器；

所述PWM芯片用于产生第一PWM波；

所述mosfet用于根据所述第一PWM波对所述电容进行放电；

所述电容用于接受所述输入电压的充电及所述mosfet的放电，产生锯齿波；

所述比较器用于比较所述锯齿波与预定的电压，产生第二PWM波，所述第二PWM波的占空比与所述输入电压的占空比成反比；

所述滤波器用于对所述第二PWM波进行滤波，产生与所述输入电压呈反向变化关系的直流电压，以便根据所述直流电压产生所述参考电压。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，

将所述滤波器产生的与所述输入电压呈反向变化关系的直流电压作为所述参考电压；或者，

所述参考电压产生单元还包括：微调器，用于对所述滤波器产生的直流电压进行微调，产生所述参考电压。

4.根据权利要求1-3任一项所述的装置，其特征在于，所述电流采样单元具体用于对所述原边的输入总线的电流进行采样，并得到所述表征被采样电流大小的电压。

5.根据权利要求1-3任一项所述的装置，其特征在于，所述电流采样单元包括：

采样模块，用于从所述原边mosfet上采样电流并根据被采样电流得到对应的电压；

滤波模块，用于对所述采样电流对应的电压滤波得到所述表征被采样电流大小的电压。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号处理单元包括：

加法器，用于得到所述表征被采样电流大小的电压和参考电压的相加值，或者得到所述表征被采样电流大小的电压和参考电压的差值；放大器，用于对所述加法器处理后的电压信号进行放大处理，得到所述死区参数，以便根据所述死区参数调节死区时间时，使得所述死区时间与被采样电流呈反向变化关系，以及，所述死区时间与输入电压呈正向变化关系；

或者，

运算放大器，用于得到所述表征被采样电流大小的电压和参考电压相加或者相减处理后得到的电压值的放大值，将所述放大值作为死区参数，以便根据所述死区参数调节死区时间时，使得所述死区时间与被采样电流呈反向变化关系，以及，所述死区时间与输入电压呈正向变化关系。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述信号处理单元还包括：

调节速度控制模块，用于当死区时间调大或者负载减小时加快所述死区参数的产生速度，以及，当死区时间调小或者负载增加时减小所述死区参数的产生速度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制单元具体用于：

控制所述电源变换器中的原边mosfet同时处于关断状态的时间为所述调节后的死区时间，或者，控制所述原边mosfet和所述电源变换器中的副边mosfet同时处于关断状态的时间为所述调节后的死区时间。