[发明专利]一种单晶硅片的预清洗方法无效
| 申请号： | 201110077736.5 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102719896A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 刘万学;程明辉;刘志坚;侯丽艳;强艳建;韩丽;侯文会 | 申请（专利权）人： | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136001 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅片的预清洗方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
①、第一次配液，在容积为150-180升的工艺槽中加入150-160升的去离子水，工艺槽中的水温加热并保持在63～65度左右；然后开始进行各种化学品的配制，首先加入NaOH（电子级）250～300克，再加入H2O2 6升左右，用PP材质长棒均匀搅拌，得到配液待用；
②、清洗，将规格为125*125单晶硅片放入承载盒中，将多个承载盒依次装入大花蓝中作为一个批次，要求每个批次单晶硅片的数量在300片—400片之间，最后将装有单晶硅片的大花蓝放入装有①中配液的工艺槽中，浸泡时间控制在200～300秒；
③、补液，每清洗1批次后，在清洗下一批次时需重新补液，补入H2O2 0.8～1升，正常生产不间断的情况下，每隔4小时补入NaOH的量150～200克。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林庆达新能源电力股份有限公司，未经吉林庆达新能源电力股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110077736.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
