[发明专利]同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法

权利要求书

1.一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一LED结构，所述LED结构包括衬底及其表面的器件层；

提供一激发光，聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上，同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰；

根据衬底和器件层的拉曼光谱特征峰的频率值，计算衬底和器件层的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算衬底和器件层温度的步骤中，进一步包括：

提供一与待测结构相同的标样；

通过变化标样的温度来标定衬底和器件层的温度与特征峰位置之间的关系；

利用此关系计算出待测结构的衬底和器件层温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据温度与拉曼光谱特征峰之间的经验公式计算衬底和器件层的温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激发光不被衬底吸收，并从衬底远离器件层一侧入射至衬底靠近器件层一侧的表面上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激发光不被器件层吸收，并从器件层远离衬底一侧入射至衬底靠近器件层一侧的表面上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，器件层为GaN。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，激发光聚焦的竖直空间分辨率不小于2μm。