[发明专利]一种石墨烯的生长方法以及石墨烯有效
| 申请号： | 201110078118.2 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102181924A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘争晖;王建峰;钟海舰;任国强;蔡德敏;徐耿钊;樊英民;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 生长 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供III族氮化物衬底；
将所述III族氮化物衬底置于加热器的中心区域；
向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体；
加热III族氮化物衬底；
向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源，进行石墨烯的生长；
停止通入碳源，持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非氧化性气体的通入速率是150～1500sccm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热器为电炉。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热III族氮化物衬底的步骤中，加热器的中心温度为600～1200℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源，进行石墨烯的生长的步骤中，通入含碳物质的持续时间为10～100min。
6.一种石墨烯，其特征在于，石墨烯层直接形成于III族氮化物衬底的表面。
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