[发明专利]半导体器件和形成高衰减平衡带通滤波器的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；以及

形成在衬底上的带通滤波器，所述带通滤波器包括，

（a）第一导电迹线，第一导电迹线被缠绕以展现电感特性，并且具有耦合到半导体器件的第一端子的第一末端和耦合到半导体器件的第二端子的第二末端，

（b）耦合在第一导电迹线的第一和第二末端之间的第一电容器，

（c）第二导电迹线，第二导电迹线被缠绕以展现电感特性，并且具有耦合到半导体器件的第三端子的第一末端和耦合到半导体器件的第四端子的第二末端，第二导电迹线具有与第一导电迹线不同的尺寸和形状，

（d）耦合在第二导电迹线的第一和第二末端之间的第二电容器，以及

（e）围绕第一和第二导电迹线被缠绕以展现电感特性的第三导电迹线。

2.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括耦合在第三导电迹线的第一和第二末端之间的第三电容器。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中第一和第二导电迹线均具有椭圆形、圆形、多边形、或共形形状。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中第一和第二导电迹线具有小于0.2的耦合系数，以及第一和第三导电迹线具有小于0.2的耦合系数，并且第二和第三导电迹线具有小于0.2的耦合系数。

5.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括耦合在第二导电迹线的第一和第二末端中间的中心抽头。

6.一种半导体器件，包括：

衬底；

形成在衬底上并且被缠绕以展现电感特性的第一导电迹线，并且具有耦合到半导体器件的第一端子的第一末端和耦合到半导体器件的第二端子的第二末端；

形成在衬底上并且被缠绕以展现电感特性的第二导电迹线，并且具有耦合到半导体器件的第三端子的第一末端和耦合到半导体器件的第四端子的第二末端，第二导电迹线具有与第一导电迹线不同的尺寸或形状；以及

第三导电迹线，第三导电迹线形成在衬底上并且围绕第一和第二导电迹线被缠绕以展现电感特性。

7.根据权利要求6的半导体器件，进一步包括：

形成在衬底上并且被耦合在第一导电迹线的第一和第二末端之间的第一电容器；以及

形成在衬底上并且被耦合在第二导电迹线的第一和第二末端之间的第二电容器。

8.根据权利要求7的半导体器件，进一步包括形成在衬底上并且被耦合在第三导电迹线的第一和第二末端之间的第三电容器。

9.根据权利要求6的半导体器件，其中第一和第二导电迹线均具有椭圆形、圆形、多边形、或共形形状。

10.根据权利要求6的半导体器件，其中第一和第二导电迹线具有小于0.2的耦合系数，以及第一和第三导电迹线具有小于0.2的耦合系数，并且第二和第三导电迹线具有小于0.2的耦合系数。

11.根据权利要求6的半导体器件，进一步包括耦合在第二导电迹线的第一和第二末端中间的中心抽头。

12.一种半导体器件，包括：

衬底；

形成在衬底上的第一电感器；

形成在衬底上的第二电感器，第二电感器具有与第一电感器不同的尺寸或形状；以及

形成在第一和第二电感器周围的第三电感器。

13.根据权利要求12的半导体器件，其中第一电感器包括第一导电迹线，第一导电迹线被缠绕以展现电感特性，并且具有耦合到半导体器件的第一端子的第一末端和耦合到半导体器件的第二端子的第二末端。

14.根据权利要求13的半导体器件，其中第二电感器包括第二导电迹线，第二导电迹线被缠绕以展现电感特性，并且具有耦合到半导体器件的第三端子的第一末端和耦合到半导体器件的第四端子的第二末端。

15.根据权利要求14的半导体器件，其中第三电感器包括被缠绕以展现电感特性的第三导电迹线。

16.根据权利要求15的半导体器件，进一步包括：

形成在衬底上并且被耦合在第一导电迹线的第一和第二末端之间的第一电容器；以及

形成在衬底上并且被耦合在第二导电迹线的第一和第二末端之间的第二电容器。